[发明专利]一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构，其特征在于，所述器件结构为中压MOS器件结构，至少包括：

第一导电类型衬底；

所述第一导电类型衬底中离子注入有第二导电类型的第一深阱区；

所述第一深阱区上离子注入有第二导电类型的第二深阱区，其中，所述第二深阱区的掺杂浓度大于第一深阱区的掺杂浓度；

所述第二深阱区上离子注入有第一导电类型的中压阱区；

形成于所述中压阱区上的栅极结构；

形成于所述栅极结构每一侧的中压阱区内的第一导电类型的重掺杂区域和第二导电类型重掺杂区，其中，所述栅极结构两侧中压阱区内的第二导电类型重掺杂区分别定义为漏区和源区；

形成于第一深阱区表面内的第二导电类型重掺杂区；

分别位于第一导电类型衬底与第一深阱区表面之间、第一深阱区与中压阱区表面之间、以及所述第一导电类型的重掺杂区和第二导电类型的重掺杂区之间的浅沟道隔离区。

2.根据权利要求1所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构，其特征在于：所述中压阱区内第二导电类型重掺杂区部分横向扩散至栅极结构下方。

3.根据权利要求1所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构，其特征在于：所述栅极结构由栅极、栅介质层和侧墙构成。

4.根据权利要求1所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构，其特征在于：所述第一导电类型为P型离子掺杂，掺杂的离子为硼；所述第二导电类型为N型离子掺杂，掺杂的离子为磷，形成的中压MOS器件为中压NMOS。

5.根据权利要求1所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构，其特征在于：所述第一导电类型为N型离子掺杂，掺杂的离子为磷；所述第二导电类型为P型离子掺杂，掺杂的离子为硼，形成的中压MOS器件为中压PMOS。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：

采用离子注入工艺，在第一导电类型衬底中自下而上依次形成第二导电类型的第一深阱区、第二导电类型的第二深阱区和第一导电类型的中压阱区，其中，第二深阱区的掺杂浓度大于第一深阱区的掺杂浓度。

7.根据权利要求6所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构的制作方法，所述制作方法还包括步骤：

在所述中压阱区上形成栅极结构；

在所述栅极结构每一侧的中压阱区内分别形成第一导电类型的重掺杂区和第二导电类型重掺杂区，其中，所述栅极结构两侧中压阱区内的第二导电类型重掺杂区分别定义为漏区和源区；

在所述第一深阱区表面内制备第二导电类型的重掺杂区；

在所述第一导电类型衬底与第一深阱区表面之间、第一深阱区与中压阱区表面之间、以及所述中压阱区内第一导电类型的重掺杂区和第二导电类型的重掺杂区之间分别制备浅沟道隔离区进行隔离，获得中压MOS器件。

8.根据权利要求7所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为P型离子掺杂，掺杂的离子为硼离子；所述第二导电类型为N型离子掺杂，掺杂的离子为磷离子，形成的中压MOS器件为中压NMOS。

9.根据权利要求7所述的具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构的制作方法，其特征在于：所述第一导电类型为N型离子掺杂，掺杂的离子为磷离子；所述第二导电类型为P型离子掺杂，掺杂的离子为硼离子，形成的中压MOS器件为中压PMOS。