[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明构思的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

小型多功能和/或低成本的半导体器件在电子产业中存在极大的需求，用于制造流行的消费电子设备诸如智能手机。期望更高集成度的半导体器件以满足对高性能而不昂贵的电子装置的消费需求。在半导体存储器件的情形下，特别期望增大的集成度，因为它们的集成度是决定产品价格的重要因素。然而，增大图案精细度所需的极其昂贵的工艺设备对半导体存储器件的更高集成度设定了实际的限制。为了克服这样的障碍，已经对发展用于增大半导体存储器件的集成密度的新技术进行了各种研究。

发明内容

本发明构思的实施例提供具有减小的接触电阻和改善的可靠性的半导体器件。

本发明构思的其他实施例提供一种制造高集成的半导体器件的方法，其能够防止掩模未对准或接触焊盘桥接的发生。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：基板；器件隔离层，提供在基板中以具有比基板的顶表面低的顶表面；存储器元件，设置在基板上；以及第一接触，电连接到存储器元件以与基板的顶表面和侧表面接触。

在示例实施例中，第一接触的整个侧表面可以与硅氮化物层接触。

在示例实施例中，第一接触的数目可以为两个或更多，所述器件还可以包括提供在相邻的第一接触之间的隔离图案。

在示例实施例中，隔离图案的顶表面可以与第一接触的顶表面基本上共平面。

在示例实施例中，隔离图案的底表面可以低于基板的顶表面。

在示例实施例中，所述器件还可以包括邻近第一接触的字线覆盖层图案以及在字线覆盖层图案下面沿第一方向延伸的字线。

在示例实施例中，字线可以提供在基板中。

在示例实施例中，字线覆盖层图案的顶表面可以与第一接触的顶表面基本上共平面。

在示例实施例中，隔离图案具有沿与第一方向交叉的第二方向延伸的条形。

在示例实施例中，隔离图案的底表面可以高于字线覆盖层图案的底表面。

在示例实施例中，隔离图案将字线覆盖层图案的顶表面分成多个部分。

在示例实施例中，所述器件还可以包括提供在第一接触的一侧的第二接触以及插设在第一接触与第二接触之间的间隔物。间隔物也可以称为分隔壁。

在示例实施例中，第二接触的底表面可以低于器件隔离层的顶表面。

在示例实施例中，所述器件还可以包括提供在第一接触的另一侧的隔离图案（或分隔壁）以及在第二接触上沿第一方向延伸的导线。导线可以具有与隔离图案相同的宽度并在平面图中交叠隔离图案。

在示例实施例中，所述器件还可以包括提供在基板中且连接到第一接触的第一掺杂区以及提供在基板中且连接到第二接触的第二掺杂区。第二掺杂区具有比第一掺杂区更大的深度。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：多条字线，提供在基板中以沿第一方向延伸，栅绝缘层插设在字线与基板之间；字线覆盖层图案，分别设置在字线上以从基板的顶表面向上突出；存储节点焊盘，设置在字线覆盖层图案上以与基板接触；以及隔离图案，设置在存储节点焊盘之间以及在字线覆盖层图案之间。

在示例实施例中，存储节点焊盘、隔离图案和字线覆盖层图案可以具有基本上彼此共平面的顶表面。

在示例实施例中，该半导体器件还可以包括在基板中以限定有源区的器件隔离层。隔离图案可以与器件隔离层接触，器件隔离层的顶表面低于基板的顶表面且高于隔离图案的底表面。

在示例实施例中，基板的侧壁可以被器件隔离层暴露，存储节点焊盘可以延伸以覆盖形成在基板中的凹陷的侧壁的一部分和器件隔离层的顶表面。

在示例实施例中，该半导体器件还可以包括与字线之间的基板接触并与隔离图案间隔开的位线节点接触，并且位线节点接触的底表面可以低于器件隔离层的顶表面。

在示例实施例中，该半导体器件还可以包括插设在位线节点接触与存储节点焊盘之间的绝缘间隔物。

在示例实施例中，该半导体器件还可以包括设置在位线节点接触上的位线。在平面图中，位线可以与隔离图案交叠。

在示例实施例中，该半导体器件还可以包括与存储节点焊盘接触的存储节点接触以及电连接到存储节点接触的存储器元件。

在示例实施例中，基板可以包括单元阵列区、单元边缘区以及周边电路区，该半导体器件还可以包括虚设位线节点接触和虚设隔离图案，虚设位线节点接触和虚设隔离图案可以设置得在单元边缘区中彼此相邻。