[发明专利]一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于太阳能应用设备领域，特别涉及一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法。

背景技术

过去几十年中，太阳能电池板的制造业规模迅速扩大。2011年，美国太阳能产业的增长率高达109%，在新能源技术领域中首屈一指。铜铟镓硒薄膜太阳能电池在太阳能电池板领域发展迅速，其通常在一层刚性的玻璃底板或是柔性的不锈钢板上依次设有钼层、铜铟镓硒薄膜吸收层、硫化镉缓冲层、本征氧化锌、铝-氧化锌窗口层和表面接触层。根据Lux Research的研究报告，2011年铜铟镓硒薄膜太阳能市场产能达到1.2GW，并将于2015年达到2.3GW；其他太阳能电池研究机构均预测铜铟镓硒薄膜太阳能电池的市场份额将由2010年的3%增长至2015年的6%，并将在2020年达到33%。这充分表明铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术将引领未来的太阳能电池市场，并具有巨大的商业潜力。作为被美国能源部和其他知名太阳能电池研究机构列为最有发展前景的薄膜太阳能电池技术，铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术正凭借着其广泛的优势吸引着越来越多的研究人员和投资者。迄今为止，铜铟镓硒薄膜太阳能电池的效率在实验室中已经突破了20.3%。同时，越来越多的公司、机构正在致力于实现这项技术的商业化。

现有铜铟镓硒薄膜的生产方法大体上可被分为非真空法和真空法。非真空方法包括电化学镀膜法、喷墨打印法、FASST法和旋转涂布法等；偏低的效率是非真空法仍需解决的一大问题。真空法主要包括共蒸镀法和两步溅射法。

两步溅射法是目前生产铜铟镓硒薄膜吸收层最前沿的技术，包括溅射和硒化等工艺过程。该方法以铜化镓或者铜/镓靶材以及铟靶材为原料，使用共溅射或者连续溅射的方法将合金沉积到无定形薄膜上；之后再将薄膜在硒化氢或者硒的环境里进行硒化，最终形成p-type吸收层。现有两步溅射法通常以铜化镓或者铜/镓靶材以及铟靶材为背电极，制得的铜铟镓硒薄膜转换效率低、成本高。

发明内容

发明目的：本发明的第一目的是提供一种效率高、成本低的钠掺杂钼平面溅射靶材。

本发明的第二目的是提供一种工艺简单、成本较低的钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法。

技术方案：本发明提供的一种钠掺杂钼平面溅射靶材，由钼原子、钠原子和氧原子组成，其中钼原子数占原子总数的85-99%，其余为钠原子和氧原子，钠原子和氧原子的数量比为1:2。

本发明还提供了一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：

（1）将三氧化钼与氢氧化钠在水中反应生成钼酸钠水溶液，加热至100-120℃使钼酸钠水溶液蒸干，得无水钼酸钠；

（2）将无水钼酸钠与钼粉混匀后于球磨罐中在氩气保护下球磨，得混合粉料；

（3）将混合粉料置于石墨模具中于冷压机中加压成型，得成型料；

（4）将成型料置于石墨模具中于热压机中在氮气保护下加压成型，即得钠掺杂钼平面溅射靶材。

步骤（1）中，所述三氧化钼的纯度为99.99%以上，所述三氧化钼与氢氧化钠的用量摩尔比为1：（1-3）。

步骤（1）中，反应温度为50-70℃。

步骤（2）中，所述无水钼酸钠与钼粉的用量以使钼原子的数量占原子总数的85-99%为准，无水钼酸钠与钼粉的总质量与球磨机中加球的总质量之比为1：（10-100）。

步骤（2）中，球磨罐转速为100-700rpm，球磨时间为30-180min。

步骤（3）中，冷压机加压为50-350kgf/cm²。

步骤（4）中，热压机压力为50-150kgf/cm2；热压机温度为从室温升到1000-1100℃，温度上升速率为10-25℃/min，恒温0.3-0.5h后停止加热，自然冷却到室温。

有益效果：本发明提供的钠掺杂钼平面溅射靶材在钼背电极中掺杂了钠元素，能够大幅提高铜铟镓硒薄膜电池的转换效率，降低生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。

本发明提供的钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法以三氧化钼、氢氧化钠和钼金属为原料，经过反应、球磨、过筛、热压等工艺制成钠掺杂钼平面溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到95%以上、氧密度高可达250ppm、尺寸小可达60-100微米。

具体实施方式

根据下述实施例，可以更好地理解本发明。然而，本领域的技术人员容易理解，实施例所描述的具体的物料配比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明，而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。