[发明专利]一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法

权利要求书

1.一种钠掺杂钼平面溅射靶材，其特征在于：由钼原子、钠原子和氧原子组成，其中钼原子数占原子总数的85-99%，其余为钠原子和氧原子，钠原子和氧原子的数量比为1:2。

2.一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将三氧化钼与氢氧化钠在水中反应生成钼酸钠水溶液，加热至100-120℃使钼酸钠水溶液蒸干，得无水钼酸钠；

（2）将无水钼酸钠与钼粉混匀后于球磨罐中在氩气保护下球磨，得混合粉料；

（3）将混合粉料置于石墨模具中于冷压机中加压成型，得成型料；

（4）将成型料置于石墨模具中于热压机中在氮气保护下加压成型，即得钠掺杂钼平面溅射靶材。

3.根据权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述三氧化钼的纯度为99.99%以上，所述三氧化钼与氢氧化钠的摩尔比为1：（1-3）。

4.根据权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，反应温度为50-70℃。

5.根据权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，无水钼酸钠与钼粉的总质量与球磨机中加球的总质量之比为1：（10-100）。

6.根据权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，球磨罐转速为100-700rpm，球磨时间为30-180min。

7.根据权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，冷压机加压为50-350kgf/cm²。

8.根据权利要求1所述的一种钠掺杂钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：步骤（4）中，热压机压力为50-150kgf/cm2；热压机温度为从室温升到1000-1100℃，温度上升速率为10-25℃/min，恒温0.3-0.5h后停止加热，自然冷却到室温。