[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其是使用具有上金属模具和下金属模具的成型金属模具来制造半导体装置的方法，其特征在于，其具有：

配置工序，将半导体元件搭载基板配置在加热至室温～200℃的前述成型金属模具的前述上金属模具和前述下金属模具中的一个金属模具上，并将半导体元件非搭载基板配置在另一个金属模具上；

一体化工序，利用配置有前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板的前述成型金属模具，使热固化性树脂成型，由此来使前述半导体元件搭载基板和前述半导体元件非搭载基板一体化；及，

单颗化工序，将该一体化的基板从前述成型金属模具中取出，并切割，来进行单颗化。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述一体化工序中，将在室温下或加热下呈液态的前述热固化性树脂，放在已配置于前述下金属模具的基板上，并将前述上金属模具与前述下金属模具加压，压缩成型前述热固化性树脂；或，

在前述一体化工序中，将前述上金属模具与前述下金属模具合模后，将在室温下或加热下呈液态的前述热固化性树脂注入已配置于前述上金属模具和前述下金属模具的基板的缝隙中，并将前述热固化性树脂注射成型或压铸成型。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述一体化工序中，在减压下成型前述热固化性树脂。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，在前述一体化工序中，在减压下成型前述热固化性树脂。

5.如权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，使用金属基板、无机基板、或有机树脂基板来作为前述半导体元件搭载基板及/或前述半导体元件非搭载基板。

6.如权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，使用环氧树脂、硅酮树脂、及硅酮/环氧混合树脂中的任一种来作为前述热固化性树脂。

7.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，使用环氧树脂、硅酮树脂、及硅酮/环氧混合树脂中的任一种来作为前述热固化性树脂。

8.如权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，使用在室温～200℃中的线性膨胀系数为5～25ppm/℃的有机树脂基板来作为前述半导体元件搭载基板及/或前述半导体元件非搭载基板。

9.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，使用在室温～200℃中的线性膨胀系数为5～25ppm/℃的有机树脂基板来作为前述半导体元件搭载基板及/或前述半导体元件非搭载基板。

10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，使用在室温～200℃中的线性膨胀系数为5～25ppm/℃的有机树脂基板来作为前述半导体元件搭载基板及/或前述半导体元件非搭载基板。

11.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，使用在室温～200℃中的线性膨胀系数为5～25ppm/℃的有机树脂基板来作为前述半导体元件搭载基板及/或前述半导体元件非搭载基板。

12.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

13.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求5所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

14.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求6所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

15.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求7所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

16.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求8所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

17.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求9所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

18.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求10所述的半导体装置的制造方法而制造出来。

19.一种半导体装置，其特征在于，通过权利要求11所述的半导体装置的制造方法而制造出来。