[发明专利]半导体器件及用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

本体，所述本体包括：

第一部分，所述第一部分包括具有第一带隙的第一半导体材料；

第二部分，所述第二部分包括具有第二带隙的第二半导体材料，所述第二带隙不同于所述第一带隙，并且

所述第一部分和所述第二部分是共面的并且彼此电介质地绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分包括HEMT结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分包括CMOS器件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分包括III-V半导体材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分包括GaN层、布置在所述GaN层上的AlGaN层以及定位在所述AlGaN层上的栅电极。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分包括<100>硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括布置在所述第一部分与所述第二部分之间的界面中的电介质隔离件。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括邻近所述第二部分定位的<111>硅层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括邻近所述第一部分定位的电介质。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括邻近所述第一部分和所述第二部分定位的电介质层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分包括<100>硅、邻近所述第二部分定位的<111>硅层、以及布置在所述<111>硅与所述<100>硅之间的氧化层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括重新布线结构。

13.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

本体，所述本体包括：

第一部分，所述第一部分包括GaN层、布置在所述GaN层上的AlGaN层、以及栅电极，所述第一部分具有侧面区域和从第一后平面延伸的厚度，

第二部分，所述第二部分包括<100>硅、CMOS器件和电介质层，所述第二部分包括限定侧面区域的侧壁和从第二后平面延伸的厚度，所述电介质层提供所述侧壁和所述第二后平面，并且

所述第一后平面和所述第二后平面是共面的并且接触衬底层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述衬底层包括接触所述第二后平面的<111>硅层以及接触所述第一后平面的绝缘层。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述衬底层包括接触所述第一后平面和所述第二后平面的绝缘层。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一部分进一步包括处于外围区域中的绝缘隔离件。

17.根据权利要求13所述的半导体器件，进一步包括：定位在所述AlGaN层和所述<100>硅上的电介质层、穿过所述电介质延伸并且接触所述栅极、所述AlGaN层和所述CMOS器件的掺杂区域的导电贯通接触件。

18.一种方法，所述方法包括：

提供衬底，所述衬垫具有能够支撑III-V半导体的外延生长的表面；

将<100>硅层施加至所述衬底；

去除所述<100>硅层的一部分并且暴露第一区域中的所述衬底的表面并且产生包括<100>硅的第二区域；

在所述第一区域中的所述衬底的所述表面上外延地生长III-V半导体；

在所述第一区域中制造HEMT结构；

在所述第二区域中制造CMOS器件；

在所述第一区域和所述第二区域上方沉积电介质层；

去除所述电介质层的定位在所述第一区域和所述第二区域上方的部分并且产生暴露所述第一区域和所述第二区域的接触区域的通孔；

在所述通孔中沉积导电材料；以及

在所述电介质层上沉积导电材料。