[发明专利]用于三维集成电路的装置和方法

权利要求书

1.一种结构，包括：

衬底，包括位于所述衬底的顶面上的多条线；

多个连接件，形成在半导体管芯的顶面上，所述半导体管芯接合至所述衬底并通过所述多个连接件连接至所述衬底；以及

伪金属结构，形成在所述衬底的顶面的角部处，所述伪金属结构具有两个不连续部分。

2.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述连接件由铜形成；以及

所述连接件和所述线形成多个铜柱导线直连(BOT)结构。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述连接件包括：

铜部；以及

焊料部，形成在所述铜部的顶部上。

4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述伪金属结构由铜形成。

5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述角部包括：

中心区域，包括以行和列配置的多个铜柱导线直连结构；

边缘区域，被阻焊层所覆盖；以及

外围区域，位于所述中心区域和所述边缘区域之间，所述伪金属结构的不连续部分位于所述外围区域中。

6.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述伪金属结构的第一不连续部分与所述伪金属结构的第二不连续部分隔开大于约120um的距离。

7.根据权利要求1所述的结构，其中：

所述角部的长度等于所述衬底的顶面的长度的三分之一；以及

所述角部的宽度等于所述衬底的顶面的宽度的三分之一。

8.一种方法，包括：

在衬底的顶面上形成多条线和伪金属结构，所述伪金属结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二部分隔开一间隙并且所述伪金属结构位于两条邻近的线之间的空置空间处；

在所述衬底的顶面的边缘区域上形成阻焊层；

在所述衬底上方安装半导体管芯，所述半导体管芯包括位于所述半导体管芯的第一侧上的多个连接件，并且所述衬底的顶面的中心区域在所述半导体管芯的下方；以及

在所述边缘区域和所述中心区域之间形成外围区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述间隙位于所述外围区域中。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述衬底的顶面的角部中形成第一线、第二线和第一伪金属结构，其中：

在所述衬底的顶面的角部中，所述第二线邻近所述第一线；以及

所述第一伪金属结构包括第一导电部分、第二导电部分和所述第一导电部分与所述第二导电部分之间的间隙，并且所述间隙位于所述外围区域中且所述第一伪金属结构位于所述第一线和所述第二线之间的空置空间处。