[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：

提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极和第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的一端向外延伸形成有第一接引电极，第二电极邻近第二连接条的一端向外延伸形成有第二接引电极；

在引线架上相邻的第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，所述第一接引电极和第二接引电极分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯外；

对第一电极邻近第一连接条的至少一顶角和第二电极邻近第二连接条的至少一顶角分别进行切割以形成对应第一电极的至少一第一缺口和对应第二电极的至少一第二缺口；

在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接发光二极管芯片与所述第一电极和第二电极；

在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及

沿所述第一缺口和第二缺口横向切割反射杯及连接条以形成多个独立的发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接条包括若干位于相邻第一电极之间的第一连接部和若干位于第一电极底部并分别与相邻第一连接部连接的第一支撑部，所述第二连接条包括若干位于相邻第二电极之间的第二连接部和若干位于第二电极底部并分别与相邻第二连接部连接的第二支撑部。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接部和第一支撑部均具有远离第一电极设置的底面，所述第一连接部的底面和第一支撑部的底面平齐，所述第二连接部和第二支撑部均具有远离第二电极设置的底面，所述第二连接部的底面和第二支撑部的底面平齐。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一连接条与第一电极共同围设出一开口朝向第二电极的第一成型槽，所述第一成型槽位于第一电极的底部，所述第二连接条与第二电极共同围设出一开口朝向第一电极并与第一成型槽相对设置的第二成型槽，所述第二成型槽位于第二电极的底部，在反射杯成型后所述第一成型槽和第二成型槽均被反射杯填充。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一成型槽在沿第一连接条延伸方向上的宽度与第一电极的宽度相等，所述第二成型槽在沿第二连接条延伸方向上的宽度与第二电极的宽度相等。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一接引电极自第一电极的远离第二电极的一端向外再向下一体延伸形成，所述第一接引电极的宽度小于第一电极的宽度，所述第二接引电极自第二电极的远离第一电极的一端向外再向下一体延伸形成，第二接引电极的宽度小于第二电极的宽度。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一电极对应第一缺口的位置处为一弧形面，所述第一电极的弧形面与第一接引电极平滑连接，所述第二电极对应第二缺口的位置处为一弧形面，所述第二电极的弧形面与第二接引电极平滑连接。

8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一电极和第二电极均包括相对设置的上表面和下表面，所述第一电极的下表面向下凸出延伸形成第一增厚部，第二电极的下表面向下凸出延伸形成第二增厚部，所述第一增厚部和第二增厚部分别与容置槽正对设置，在反射杯成型后第一增厚部远离第一电极的底面和第二增厚部远离第二电极的底面均外露于反射杯外。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一缺口和第二缺口是利用机械切割或激光削熔的方式形成。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一缺口自反射杯顶面正对第一电极顶角的位置处向下贯穿反射杯和第一连接条，所述第二缺口自反射杯顶面正对第二电极顶角的位置处向下贯穿反射杯和第二连接条。

11.一种发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管封装结构由权利要求1-10中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法所制成。