[发明专利]一种制作VDMOS的方法有效
| 申请号： | 201310056245.1 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103996622A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 闻正锋;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 vdmos 方法 | ||
1.一种制作垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管VDMOS的方法，其特征在于，包括：
提供一N型衬底，在所述衬底的第一表面上形成N型外延层；
在所述N型外延层上生长场氧，形成场氧化层；
在所述场氧化层上刻蚀出有源区，并在所述有源区注入N型离子并驱入；
在所述场氧化层上刻蚀出至少一个环区，并在每个环区注入P型离子；
分别在所述有源区和所述环区上生长栅氧，形成栅氧化层；
在所述N型外延层的上表面的下方形成阈值注入层；
在所述栅氧化层上沉积多晶硅，形成多晶硅层，将其作为VDMOS的栅极；
在所述有源区且在所述多晶硅层的两侧注入P型离子并驱入；
在驱入P型离子的区域上形成VDMOS的源极；
对所述衬底的第二表面进行减薄，并在减薄后的第二表面上生长金属层，形成VDMOS的漏极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型离子为磷离子，所述P型离子为硼离子。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述阈值注入层的深度为0.01～0.04微米。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述阈值注入层上注入深度为0.11～0.14微米的N型离子，所述N型离子的能量为9KeV～110KeV。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述阈值注入层上注入深度为0.11～0.13微米的P型离子，所述P型离子的能量为35KeV～40KeV。
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