[发明专利]剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法。

背景技术

近年来，随着手机、数字音频视频(AV)设备以及IC卡等的高功能化，对半导体硅片的小型化、薄型化以及高集成化的要求正在提高。例如，在一个半导体封装中搭载多个半导体芯片的系统级封装(System inPackage，SiP)在实现所搭载的芯片的小型化、薄型化以及高集成化；电子设备的高性能化、小型化及轻量化的方面已经成为非常重要的技术。为了应对这种对薄型化以及高集成化的要求，不仅需要现有的引线键合技术(wire bonding technology)，还需要将形成有贯通电极的芯片层叠、并在芯片的里面形成凸块的贯通电极技术。

然而，在半导体芯片的制造中，由于半导体晶片本身壁薄且脆，而且电路图案具有凹凸，因此在运送至磨削工序或者切割工序时若施加外力则容易破损。因此，开发了一种晶片处理系统，其通过对要磨削的晶片贴合被称为支撑板的、由玻璃、硬质塑料等形成的板，从而保持晶片的强度、防止裂纹的产生和晶片的翘曲。由于可以利用晶片处理系统来维持晶片的强度，因此可以自动地进行已薄板化的半导体晶片的运送。

晶片和支撑板使用粘接带、热塑性树脂、粘接剂等来进行贴合。将贴附有支撑板的晶片薄板化后，在切割晶片之前剥离支撑板，将支撑板从晶片上去除。例如，在使用溶解型的粘接剂来贴合晶片和支撑板时，使用丙二醇单甲醚乙酸酯(以下，表示为“PGMEA”)作为剥离液使粘接剂溶解，然后将支撑板剥离而将其从晶片去除(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-119646号公报(2007年5月17日公开)

发明内容

发明要解决的问题

然而，在现有的使用剥离液的剥离方法中，剥离后的晶片表面会产生剥离液的液痕残渣。剥离后的残渣会引起所制造的芯片的电特性降低以及成品率降低的问题。

因而，本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于提供使在剥离晶片表面的支撑板后液痕残渣的产生得以减少的剥离用组合物以及剥离用组合物的制造方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物，其特征在于，其中，具有比上述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下。

本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物的制造方法，其特征在于，包括将溶剂在该溶剂的沸点以上且低于比该溶剂沸点高25℃的温度的温度下进行蒸馏的蒸馏工序。

发明效果

本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物中，具有比上述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下，因此，通过使用该剥离用组合物将基板从支撑板剥离，可以减少在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生。另外，可以提供使在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生得以减少的剥离用组合物。

附图说明

图1为表示实施例4所示的对薄荷烷的气相色谱分析结果的图。

图2为表示比较例1所示的对薄荷烷的气相色谱分析结果的图。

图3为表示使用高沸点杂质含量不同的对薄荷烷而得的液痕残渣的评价结果的图。

图4为表示使用对薄荷烷以外的溶剂而得的液痕残渣的评价结果的图。

具体实施方式

〔剥离用组合物〕

本发明所述的、含有用于通过溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂而将该基板从该支撑板剥离的溶剂的剥离用组合物中，具有比上述溶剂的沸点高25℃以上的沸点的高沸点杂质的含量为5重量％以下。

本发明所述的剥离用组合物溶解使支撑板贴附于基板的粘接剂，并通过使粘接剂溶解而将基板从支撑板剥离。涂布剥离用组合物而使粘接剂溶解、并剥离支撑板后的基板的表面，在去除粘接剂后进行干燥，但此时由于来源于剥离用组合物的杂质而导致在基板表面产生液痕残渣。

本发明人等重复进行了深入研究，结果发现，剥离支撑板后的基板表面产生的液痕残渣受到剥离用组合物中所含的高沸点杂质的影响。本发明所述的剥离用组合物中，高沸点杂质的含量为5重量％以下，因此通过使用该剥离用组合物将基板从支撑板剥离，可以减少在剥离基板表面的支撑板后液痕残渣的产生。