[发明专利]沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构

权利要求书

1.沟槽型半导体功率器件终端保护结构，包括：半导体基板，半导体基板包括：第一导电类型衬底以及设置在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的表面为第一主面，第一导电类型衬底的表面为第二主面；第一主面上设置有位于中心区域的有源区、以及位于有源区外围的终端保护区，所述的第一主面上覆盖有绝缘介质层，终端保护区内设置有至少一个分压环和位于分压环外围的至少一个截止环；其特征在于：

所述的分压环包括：设置在所述终端保护区内的环状的第一沟槽，第一沟槽的内壁生长有绝缘栅氧化层，第一沟槽沿其两侧内壁分别设置有环状的第一多晶硅场板和第二多晶硅场板，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板之间设置有绝缘介质层，第一多晶硅场板与第二多晶硅场板通过绝缘介质层隔离，第一导电类型外延层在第一沟槽的两侧设置有与第一沟槽的外壁相接触的第二导电类型层；

所述的截止环包括：所述的第一主面在终端保护区内设置有环状的第二沟槽，第二沟槽深入到第一导电类型外延层内，第二沟槽的内壁生长有绝缘栅氧化层，第二沟槽内设置有导电多晶硅，第二沟槽的两侧分别设置有第二导电类型层。

2.根据权利要求1所述的沟槽型半导体功率器件终端保护结构，其特征在于，所述第二沟槽外侧的第二导电类型层顶部注入有第一导电类型注入层；所述第二沟槽内的导电多晶硅、第二沟槽外侧的第一导电类型注入层以及第二导电类型层通过截止环金属板连接成等电位。

3.根据权利要求2所述的沟槽型半导体功率器件终端保护结构，其特征在于，所述截止环金属板的设置方式为：所述覆盖在第一主面的绝缘介质层上对着第二沟槽及其外侧沿着第二沟槽分别开设有若干个第一引出孔和若干个第二引出孔，且第二引出孔伸入第二导电类型层，所述截止环金属板的底部一一对应设置有与第一引出孔和第二引出孔相配合的插脚，插脚分别插入相应的第一引出孔和第二引出孔中。

4.根据权利要求2所述的沟槽型半导体功率器件终端保护结构，其特征在于，所述截止环金属板的设置方式为：所述覆盖在第一主面的绝缘介质层上对着第二沟槽及其外侧沿着第二沟槽分别开设有第一引出槽和第二引出槽，且第二引出槽伸入第二导电类型层，所述截止环金属板的底部上设置有两个分别与第一引出槽和第二引出槽相配合的插脚，两个插脚分别插入第一引出槽和第二引出槽中。

5.一种沟槽型半导体功率器件，其特征在于，所述的沟槽型半导体功率器件包括权利要求1所述的沟槽型半导体功率器件终端保护结构，所述的第二主面上设置有漏极；

所述的有源区内设置有若干个相互贯通的单胞沟槽，单胞沟槽内设置有导电多晶硅、并联成整体；第一导电类型外延层的上部设置有第二导电类型层，位于有源区的第二导电类型层的上部设置有与单胞沟槽外壁接触的第一导电类型注入层；单胞沟槽的两侧设置有源极引出槽或若干个源极引出孔；所述有源区内覆盖有源极金属板，源极金属板从绝缘介质层表面通过源极引出槽或若干个源引出孔伸入到第二导电类型层；所述源极金属板形成所述半导体功率器件的源极；

所述的有源区与终端保护区之间设置有与单胞沟槽相连通的第三沟槽，第三沟槽的内壁生长有绝缘栅氧化层，第三沟槽内设置有与单胞沟槽内的导电多晶硅相连接的导电多晶硅，第三沟槽的顶部设置有栅极金属板，栅极金属板从绝缘介质层表面伸入第三沟槽内，与第三沟槽内的导电多晶硅相连接，形成所述半导体功率器件的栅极。