[发明专利]用于带有失效开放机构的电子封装的系统和方法有效
申请号: | 201310035544.7 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN103227156A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | K.K.古;C.B.马贝拉;陈爱敏;G.韦特里韦尔佩里亚萨米 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 带有 失效 开放 机构 电子 封装 系统 方法 | ||
1.一种半导体封装,包括:
被配置为被安装在电路板上的第一表面;和
可热膨胀材料的区域,被配置为当所述可热膨胀材料的温度超过第一温度时将所述半导体封装的所述第一表面推离所述电路板。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述可热膨胀材料的区域包括多层金属条。
3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述多层金属条包括:
具有第一线性膨胀系数的内表面;和
具有第二线性膨胀系数的外表面,其中
所述内表面与所述外表面相对,
所述内表面面对所述半导体封装的所述第一表面地被置放在所述半导体封装上,并且
所述第一线性膨胀系数大于所述第二线性膨胀系数。
4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中所述内表面包括铜并且所述外表面包括铁。
5.根据权利要求3所述的半导体封装,进一步包括被置放在所述多层金属条的至少一个部分上的弹簧层。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述可热膨胀材料的区域被置放在所述第一表面内。
7.根据权利要求6所述的半导体封装,其中所述半导体封装包括被置放在所述第一表面内的空腔,并且所述可热膨胀材料被置放在所述空腔内。
8.根据权利要求7所述的半导体封装,其中:
所述半导体封装进一步包括多个表面安装引线;并且
所述空腔被邻近于所述多个表面安装引线地置放。
9.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述可热膨胀材料包括可热膨胀聚合物。
10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述半导体封装进一步包括半导体功率晶体管器件。
11.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述半导体封装进一步包括:
仅仅在所述半导体封装的第一边缘上置放的单行表面安装触点;并且
所述可热膨胀材料的区域被邻近于所述单行表面安装触点地置放,其中所述可热膨胀材料被配置为当所述可热膨胀材料超过所述第一温度时将所述表面安装触点推离所述电路板的平面。
12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中所述可热膨胀材料包括被置放于在所述半导体封装的所述第一表面中置放的通道内的双金属条。
13.根据权利要求12所述的半导体封装,其中所述双金属条包括第一端和第二端,所述第一端被固定地联结到所述通道的第一端。
14.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述可热膨胀材料被配置为当所述可热膨胀材料超过所述第一温度时经历不可逆的物理变形。
15.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述可热膨胀材料包括被配置为当所述可热膨胀材料超过所述第一温度时被释放的夹子。
16.一种电子系统,包括:
电路板;和
被置放在所述电路板上的半导体封装,所述半导体封装包括
第一表面,和
被置放在所述第一表面内的可热膨胀材料的区域,所述可热膨胀材料的区域被配置为当所述可热膨胀材料的温度超过第一温度时将所述半导体封装的第一表面推离所述电路板。
17.根据权利要求16所述的电子系统,其中所述可热膨胀材料的区域是双金属条,所述双金属条包括:
具有第一线性膨胀系数的内表面;和
具有第二线性膨胀系数的外表面,其中
所述内表面与所述外表面相对,
所述内表面面对所述半导体封装的所述第一表面地被置放在所述半导体封装上,并且
所述第一线性膨胀系数大于所述第二线性膨胀系数。
18.根据权利要求16所述的电子系统,其中:
所述半导体封装包括被配置为被耦合到所述电路板的一行触点;并且
所述可热膨胀材料的区域邻近于所述一行触点地被置放在空腔中。
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