[发明专利]载具晶圆及其制造方法以及封装方法有效
| 申请号： | 201310028364.6 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103811394A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 陈承先;李明机;余振华;胡延章 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载具晶圆 及其 制造 方法 以及 封装 | ||
1.一种载具晶圆，包括：
第一玻璃层；以及
与所述第一玻璃层连接的第二玻璃层，其中所述第一玻璃层具有第一热膨胀系数(CTE)，而所述第二玻璃层具有第二CTE。
2.根据权利要求1所述的载具晶圆，其中所述第一玻璃层具有第一厚度，而所述第二玻璃层具有第二厚度。
3.根据权利要求2所述的载具晶圆，其中，所述第二厚度与所述第一厚度基本上相同；或者所述第二厚度不同于所述第一厚度。
4.根据权利要求1所述的载具晶圆，其中所述第二CTE不同于所述第一CTE；或者所述第二CTE与所述第一CTE基本上相同。
5.根据权利要求1所述的载具晶圆，其中所述载具晶圆的整体CTE在约3至11的范围内。
6.根据权利要求1所述的载具晶圆，其中所述第一CTE或所述第二CTE是约5以下或者约7以上。
7.一种制造载具晶圆的方法，所述方法包括：
提供第一玻璃层，所述第一玻璃层具有第一热膨胀系数(CTE)；以及
将第二玻璃层连接至所述第一玻璃层，其中所述第二玻璃层具有第二CTE。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括将至少一个第三玻璃层连接至所述第二玻璃层或所述第一玻璃层。
9.根据权利要求7所述的方法，还包括选择具有所述第一CTE的第一玻璃层和选择具有所述第二CTE的第二玻璃层从而使所述载具晶圆的整体CTE为预定值。
10.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：
将多个集成电路管芯连接至载具晶圆，所述载具晶圆包括与第二玻璃层连接的第一玻璃层；
在所述多个集成电路管芯中的每一个集成电路管芯和所述载具晶圆的上方形成封装系统；以及
去除所述载具晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
