[发明专利]形成半导体装置的方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体装置，并且更具体地，涉及形成半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置用在多种电子应用和其他应用中。半导体装置可以包括形成在半导体晶片上的集成电路。可替换地，半导体装置可以形成为整体装置，例如，分立的装置。通过将多种类型的材料的薄膜沉积在半导体晶片上方、使材料的薄膜形成图案、对半导体晶片的选择性区域进行掺杂等，来使半导体装置形成在半导体晶片上。

在传统的半导体制造工艺中，大量半导体装置制造在单个晶片中。在完成装置级别以及互连级别制造工艺之后，使晶片上的半导体装置分离。例如，晶片可能经历切单颗（singulation）。在切单颗过程中，对晶片进行机械处理，并且对半导体装置进行物理分离以形成单个的裸片（die）。与化学工艺相比，纯机械分离是非常没有空间效率的。然而，小尺寸的裸片的化学分离要求克服多个困难的工艺问题。

发明内容

通过本发明的示例性实施方式，大体解决或规避了这些和其他问题，并且大体实现了技术优点。

根据本发明的一个实施方式，制造半导体装置的方法包括从衬底的顶表面形成沟槽，所述衬底具有装置区域，与相对的底表面相比，所述装置区域更邻近顶表面。所述沟槽围绕所述装置区域的侧壁。所述沟槽填充以粘合剂。粘性层形成在衬底的顶表面上。承载件用粘合剂层附接。从底表面减薄衬底以便使粘合剂的至少一部分以及装置区域的背部表面暴露。去除粘性层并且蚀刻粘合剂以便使装置区域的侧壁暴露。

根据本发明的另一个实施方式，制造半导体装置的方法包括在粘合剂中嵌入多个芯片。粘合剂覆盖所述多个芯片中的每个芯片的顶表面和侧壁。使用CF₄和氧气产生高密度等离子体。使用高密度等离子体去除粘合剂从而使侧壁和顶表面暴露。

根据本发明的另一个实施方式，制造半导体装置的方法包括从衬底的顶表面形成沟槽，所述衬底具有装置区域。与衬底的底表面相比，装置区域更邻近相对的顶表面。沟槽围绕装置区与的侧壁。沟槽填充以粘合剂。粘性层由在衬底顶表面上的粘合剂形成。承载件用粘性层附接。从底表面减薄衬底以便使粘性层的至少一部分以及装置区域的背部表面暴露。使用CF₄和氧气产生高密度等离子体。沟槽中的以及衬底的顶表面上的粘合剂使用高密度等离子体来蚀刻，以便使装置区域的侧壁暴露。

以上相当宽泛地概述了本发明的实施方式的特征，以使得下文中本发明的详细描述可以更好地理解。在下文中将描述本发明的实施方式的额外特征和优点，这些特征和优点构成了本发明的权利要求的主题。本领域技术人员应当认识到，所公开的理念和具体实施方式可以容易地用作用于修改或设计其他结构或工艺以实现本发明的相同目的的基础。本领域技术人员应当意识到，这样的等同构造不偏离如在所附权利要求中所阐述的本发明的精神和范围。

附图说明

为了更加完整地理解本发明以及本发明的优点，现在参照结合附图进行的以下说明，附图中：

图1，包括图1A和图1B，示出了根据本发明实施方式的在形成装置区域以及金属化层之后的制造过程中的半导体装置，其中，图1A示出了横截面图并且图1B示出了顶视图；

图2示出了根据本发明实施方式的在形成多个沟槽之后的半导体装置；

图3示出了根据本发明实施方式的在将多个沟槽填充以粘性组分（adhesive component）并且附接承载件之后的半导体装置；

图4示出了根据本发明实施方式的在将衬底的底表面暴露于减薄处理之前的连续步骤；

图5示出了根据本发明实施方式的在减薄处理之后的半导体装置；

图6，包括图6A和图6B，示出了半导体装置，其中，多个芯片嵌入在粘性成分的基质（matrix）中，其中，图6A示出了横截面图，并且图6B示出了顶视图；

图7示出了根据本发明实施方式的在用以除去粘性部件的等离子蚀刻处理过程中的半导体装置；

图8，包括图8A和图8B，示出了根据本发明的在除去粘性部件之后的半导体装置，其中，图8A示出了横截面图并且图8B示出了顶视图；

图9-图11示出了根据本发明的可替换实施方式的在各种制造阶段过程中的半导体装置的横截面图；以及

图12示出了根据本发明的另一个可替换实施方式的在制造过程中的半导体装置的横截面图。

除非另外说明，不同图中的对应标号和标记通常是指对应的部件。绘制图形以清楚说明实施方式的相关方面，并且图形不是必要地按比例绘制。

具体实施方式