[发明专利]形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

从衬底的顶表面形成沟槽，所述衬底包括装置区域，与相对的底表面相比，所述装置区域更邻近所述顶表面，所述沟槽围绕所述装置区域的侧壁；

用粘合剂填充所述沟槽；

在所述衬底的所述顶表面上形成粘性层；

用所述粘性层附接承载件；

从所述底表面减薄所述衬底，以便使所述粘合剂的至少一部分以及所述装置区域的背部表面暴露；

去除所述粘性层；以及

蚀刻所述粘合剂，以便使所述装置区域的侧壁暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻之后，所述装置区域的所述侧壁不具有来自所述粘合剂的残留物。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在去除所述粘性层之前以及在减薄所述衬底之后，在所述装置区域的所述背部表面上形成背侧金属化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂的粘性材料与所述粘性层的粘性材料相同。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述粘合剂和所述粘性层在一个连续过程中形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂的粘性材料与所述粘性层的粘性材料不同。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂的所述粘性材料包括丙烯酸基有机胶。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂的所述粘性材料包括环氧基负性光致抗蚀剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂的所述粘性材料包括少于大约1%的无机材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合剂的所述粘性材料包括酰亚胺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽为至少1μm深，并且其中，蚀刻所述粘合剂包括使用高密度等离子体蚀刻所述粘合剂的至少1μm。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述粘性层为至少1μm厚，并且其中，去除所述粘性层包括使用高密度等离子体，所述高密度等离子体使用CF₄和氧气而形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述高密度等离子体时，所述CF₄的量与所述氧气的量的比为大约1:10到大约1:100。

14.根据权利要求1所述的方法，在填充所述沟槽之前用胶层对所述装置区域的所述侧壁加内衬，所述胶层具有与所述粘性层不同的组分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述胶层中的粘性组分的百分比高于所述粘合剂中的粘性组分的百分比。

16.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：

在粘合剂中嵌入多个芯片，其中，所述粘合剂覆盖所述多个芯片中的每个芯片的顶表面和侧壁；

使用CF₄和氧气形成高密度等离子体；以及

使用所述高密度等离子体去除所述粘合剂，从而使所述侧壁和所述顶表面暴露。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述高密度等离子体时，所述CF₄的量与所述氧气的量的比为大约1:10到大约1:100。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述粘合剂的所述粘性材料包括环氧基负性光致抗蚀剂。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述粘合剂的所述粘性材料包括少于大约1%的无机材料。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，每个所述芯片的所述侧壁均为至少1μm深，并且其中，去除所述粘合剂包括使用所述高密度等离子体蚀刻所述粘合剂的至少1μm。