[发明专利]具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201310012584.X | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103840000A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林永发 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 低密勒 电容 半场 效应 晶体管 器件 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包含：
一半导体基底，具有第一导电型；
一外延层，位于所述半导体基底上；
一离子阱，具有第二导电型且位于所述外延层中，其中所述离子阱具有一接面深度；
一栅极沟槽，位于所述外延层中，且所述栅极沟槽的深度大于所述接面深度；
一栅极氧化层，位于所述栅极沟槽表面；
一栅极，位于所述栅极沟槽内；以及
一袋形掺杂区，具有所述第二导电型并位于所述外延层中，且紧邻并至少覆盖所述栅极沟槽的转角部分。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，另包含有一源极掺杂区，位于所述外延层表面并紧邻所述栅极沟槽。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述源极掺杂区具有所述第一导电型。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述外延层具有所述第一导电型。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述袋形掺杂区横跨所述离子阱与所述外延层的接面。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述袋形掺杂区的注入浓度大于所述外延层的注入浓度。
8.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述袋形掺杂区延伸至所述栅极沟槽的底部。
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