[发明专利]具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

权利要求书

1.一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：

一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及

一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；

其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道区域上方，以及一第二部份位于该擦除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部份的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

2.如权利要求1所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中，还包括一选择晶体管串接于该浮动栅极晶体管，且该选择晶体管与该浮动栅极晶体管形成于一第一阱区，该擦除栅区域形成于一第二阱区。

3.如权利要求2所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中于该擦除栅区域为一穿透电容器，并且该穿透电容器形成于该第二阱区。

4.如权利要求3所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该穿透电容器可为一允许载流子双向传输的结构。

5.如权利要求2所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中，该第一阱区为一第一P型阱区或者一第一N型阱区；且该第二阱区为一第二P型阱区或者一第二N型阱区。

6.如权利要求1所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该栅极氧化层的该第一部份的厚度大于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

7.如权利要求6所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中利用一回蚀制程来形成该栅极氧化层的该第二部份。

8.如权利要求1所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该擦除栅区域是由一NMOS晶体管所组成，该NMOS晶体管具有该浮动栅极、一漏极与一源极，且该漏极与该源极相互连接。

9.如权利要求1所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该擦除栅区域是由一PMOS晶体管所组成，该PMOS晶体管具有该浮动栅极、一漏极与一源极，且该漏极与该源极相互连接。

10.如权利要求1所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中多个载流子是利用一通道热载流子效应与一Fowler-Nordhiem效应来注入该浮动栅极，且这些载流子是利用该通道热载流子效应与该Fowler-Nordhiem效应来退出该浮动栅极。

11.如权利要求1所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该浮动栅极为一p型掺杂的多晶硅栅极或者一n型掺杂的多晶硅栅极。

12.一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：

一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；

一擦除栅区域；以及

一辅助栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域与该辅助栅区域；

其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道区域上方，以及一第二部份位于该擦除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部份的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

13.如权利要求12所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中，还包括一选择晶体管串接于该浮动栅极晶体管，且该选择晶体管与该浮动栅极晶体管形成于一第一阱区，该擦除栅区域形成于一第二阱区，该辅助栅区域形成于一第三阱区。

14.如权利要求13所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中于该擦除栅区域为一穿透电容器，并且该穿透电容器形成于该第二阱区。

15.如权利要求14所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该穿透电容器可为一允许载流子双向传输的结构。

16.如权利要求13所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中，该第一阱区为一第一P型阱区或者一第一N型阱区；且该第二阱区为一第二P型阱区或者一第二N型阱区；且该第三阱区为一第三P型阱区或者一第三N型阱区。

17.如权利要求12所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中该栅极氧化层的该第一部份的厚度大于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

18.如权利要求17所述的单一多晶硅非易失性存储器，其中利用一回蚀制程来形成该栅极氧化层的该第二部份。