[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在衬底上的第一和第二隔离图案；

在所述衬底的表面上且在所述第一和第二隔离图案之间，交替堆叠的层间绝缘图案和导电图案；

支撑图案，贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案，所述支撑图案具有比所述第一和第二隔离图案小的宽度；

第一和第二垂直结构，分别在所述支撑图案的相反两侧，所述第一和第二垂直结构的每个贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案，

其中所述支撑图案的顶表面和底表面之间的距离大于所述支撑图案的底表面与所述衬底的表面之间的距离，

其中所述支撑图案的顶表面设置在与所述第一和第二垂直结构的顶表面不同的水平，

其中所述第一和第二隔离图案的顶表面设置在比所述支撑图案以及所述第一和第二垂直结构的所述顶表面高的水平。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从平面图，所述支撑图案和所述第一和第二隔离图案具有彼此平行的线形状。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述支撑图案包括具有第一宽度的第一部分和具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述支撑图案的所述第一部分设置在所述层间绝缘图案之间，并且

其中所述支撑图案的所述第二部分设置在所述导电图案之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一和第二隔离图案中的每个在与所述层间绝缘图案相同的水平具有第三宽度，并在与所述导电图案相同的水平具有大于所述第三宽度的第四宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑图案包括主支撑图案以及设置在所述主支撑图案的侧表面上的辅助支撑图案，

其中所述辅助支撑图案设置在所述层间绝缘图案和所述主支撑图案之间，并且由与所述主支撑图案的材料不同的材料形成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一隔离图案和所述第一垂直结构之间的距离不同于所述支撑图案和所述第一垂直结构之间的距离。

8.一种半导体器件，包括：

隔离图案，设置在半导体衬底上；

交替堆叠的导电图案和层间绝缘图案，设置在所述衬底上且在所述隔离图案之间；

多个垂直结构，贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案；以及

支撑图案，在所述垂直结构之间贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案，所述支撑图案具有比所述隔离图案小的宽度，

其中所述支撑图案在接触所述层间绝缘图案的第一部分中具有第一宽度，并在邻近所述导电图案的第二部分中具有第二宽度，并且所述第二宽度小于所述第一宽度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述支撑图案包括主支撑图案和辅助支撑图案，该辅助支撑图案由相对于所述主支撑图案具有蚀刻选择性的材料层形成，

其中所述主支撑图案贯穿所述导电图案和所述层间绝缘图案，并且

其中所述辅助支撑图案包括插设在所述层间绝缘图案和所述主支撑图案之间的侧部辅助图案以及插设在所述主支撑图案和所述衬底之间的底部辅助图案。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括设置在所述半导体衬底的表面中的凹入区域，

其中所述支撑图案延伸到所述凹入区域中。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述支撑图案包括导电材料层以及插设在所述导电材料层和所述半导体衬底之间的绝缘氧化物层。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，从平面图，所述多个垂直结构布置为使得彼此相邻的所述垂直结构在所述隔离图案和所述支撑图案之间非共线。