[发明专利]具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法在审
| 申请号： | 201280072483.5 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104246990A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 高田进;仓世古绘美;铃木基之 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;马妮楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 凹凸 结构 晶体 衬底 制造 方法 | ||
1.一种具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，包括工序(A)～(C)：
(A)转印膜形成工序，在表面具有凹凸形状的支承体膜的具有凹凸形状的面上，以残膜厚度h为0.01～1μm的方式形成凹凸膜，所述凹凸形状的凹部的宽度w为0.05～100μm，凹部的深度d为0.05～10μm，所述凹部的深度d与所述凹部的宽度w之比d/w为1.5以下，
(B)转印工序，将所述转印膜层合在晶体衬底上，然后将所述凹凸膜转印到晶体衬底上，制成带有凹凸膜的晶体衬底，
(C)蚀刻工序，对所述带有凹凸膜的晶体衬底进行蚀刻，在晶体衬底的表面形成凹凸结构。
2.如权利要求1所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，所述凹部的深度d与所述残膜厚度h之比d/h为0.5以上。
3.如权利要求1或2所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，以所述凹凸膜的残膜厚度的均匀性为25％以下的方式，在表面具有所述凹凸形状的支承体膜的具有凹凸形状的面上形成凹凸膜。
4.如权利要求1～3中任一项所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，所述凹凸膜以线型酚醛系树脂或聚酰亚胺系树脂作为主成分。
5.如权利要求4所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，对所述带有凹凸膜的晶体衬底进行干法蚀刻。
6.如权利要求1～3中任一项所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，所述凹凸膜含有硅氧烷低聚物，基于X射线光电子能谱(XPS)测定的硅原子数相对于碳、氧、硅的各原子数的总计的比例为5～33atom％。
7.如权利要求6所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，对所述带有凹凸膜的晶体衬底进行湿法蚀刻。
8.如权利要求1～7中任一项所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，所述支承体膜的具有凹凸形状的表面的表面自由能为23～70mN/m。
9.如权利要求1～8中任一项所述的具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，其中，所述支承体膜的具有凹凸形状的表面的材质以聚烯烃系树脂或丙烯酸系树脂作为主成分。
10.一种发光元件，具备芯片，该芯片通过对利用权利要求1～9中任一项所述的制造方法得到的具有凹凸结构的晶体衬底进行单片化而得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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