[发明专利]压电器件和压电陶瓷组合物有效
申请号: | 201280057788.9 | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103958439B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 池见慎一郎;土信田丰 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;季向冈 |
地址: | 日本,*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 器件 陶瓷 组合 | ||
1.一种压电器件,包括:
将包含钙钛矿组合物和Ag成分的压电陶瓷组合物烧制而得到的压电陶瓷层;和
夹着该压电陶瓷层的导体层,
所述压电器件的特征在于:
所述压电陶瓷层中,Ag偏析在所述钙钛矿组合物的烧结体中的空隙中。
2.如权利要求1所述的压电器件,其特征在于:
所述钙钛矿组合物包含锆钛酸盐类钙钛矿组合物和/或含碱铌酸盐类钙钛矿组合物。
3.如权利要求1或者2所述的压电器件,其特征在于:
偏析在所述钙钛矿组合物的烧结体中的空隙中的所述Ag的粒径,其d80%径为0.1~3μm。
4.如权利要求1~3中任一项所述的压电器件,其特征在于:
所述压电陶瓷组合物包含由下式(1)表示的锆钛酸盐类钙钛矿组合物和Ag成分,
所述Ag成分按氧化物换算相对于所述锆钛酸盐类钙钛矿组合物100质量份含有0.05~0.3质量份,
(Pba·Rex){Zrb·Tic·(Ni1/3Nb2/3)d·(Zn1/3Nb2/3)e}O3…(1)
式中,Re为La和/或Nd,a~e、x满足下列的条件:
0.95≤a≤1.05
0≤x≤0.05
0.35≤b≤0.45
0.35≤c≤0.45
0<d≤0.10
0.07≤e≤0.20
b+c+d+e=1。
5.如权利要求1~3中任一项所述的压电器件,其特征在于:
所述钙钛矿组合物是由下式(2)表示的含碱铌酸盐类钙钛矿组合物,
所述压电陶瓷层,在由所述钙钛矿组合物的烧结体构成的结晶颗粒的晶界或者晶界三重点存在包含Si和K的结晶或者非晶质,
(LilNamK1-l-m)n(Nb1-oTao)O3…(2)
式中,l~o满足下列的条件:
0.04<l≤0.1
0≤m≤1
0.95≤n≤1.05
0≤o≤1。
6.如权利要求1~5中任一项所述的压电器件,其特征在于:
所述导体层由Ag、Pd、Pt、Ni、Cu或者包含它们中的至少一种的合金形成。
7.一种压电陶瓷组合物,其特征在于:
包含由下式(1)表示的锆钛酸盐类钙钛矿组合物和Ag成分,
所述Ag成分按氧化物换算相对于所述锆钛酸盐类钙钛矿组合物100质量份含有0.05~0.3质量份,
(Pba·Rex){Zrb·Tic·(Ni1/3Nb2/3)d·(Zn1/3Nb2/3)e}O3…(1)
式中,Re为La和/或Nd,a~e、x满足下列的条件:
0.95≤a≤1.05
0≤x≤0.05
0.35≤b≤0.45
0.35≤c≤0.45
0<d≤0.10
0.07≤e≤0.20
b+c+d+e=1。
8.如权利要求7所述的压电陶瓷组合物,其特征在于:
所述Ag成分的最大粒径为3μm以下。
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