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[发明专利]压电器件和压电陶瓷组合物-CN201280057788.9有效
发明人： 池见慎一郎;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供一种适合在高温环境下的使用的压电器件和压电陶瓷组合物。该压电器件具有将包含钙钛矿组合物和Ag成分的压电陶瓷组合物烧制而得到的压电陶瓷层；和夹着该压电陶瓷层的导体层，压电陶瓷层中，在钙钛矿组合物的烧结体中的空隙偏析有Ag。压电陶瓷组合物优选含有由(Pb_a·Re_x){Zr_b·Ti_c·(Ni_1/3Nb_2/3)_d·(Zn_1/3Nb_2/3)_e}O₃[式中，Re是La和/或Nd，a～e、x满足下列的条件，即：0.95≤a≤1.05、0≤x≤0.05、0.35≤b≤0.45、0.35≤c≤0.45、0＜d≤0.10、0.07≤e≤0.20、b+c+d+e＝1]表示的钙钛矿组合物和Ag成分，该Ag成分按氧化物换算相对于钙钛矿组合物优选含有0.05～0.3质量％。
压电器件陶瓷组合

[发明专利]压电器件-CN201510242147.6在审
发明人： 池见慎一郎;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种适合在高温环境下的使用的压电器件和压电陶瓷组合物。该压电器件具有将包含(Li_lNa_mK_1-l-m)_n(Nb_1-oTa_o)O₃表示的钙钛矿组合物和Ag成分的压电陶瓷组合物烧制而得到的压电陶瓷层；和夹着该压电陶瓷层的导体层，压电陶瓷层中，在钙钛矿组合物的烧结体中的空隙偏析有Ag，在由所述钙钛矿组合物的烧结体构成的结晶颗粒的晶界或者晶界三重点存在包含Si和K的结晶或者非晶质，其中，l～o满足下列的条件，即0.04＜l≤0.1，0≤m≤1，0.95≤n≤1.05，0≤o≤1。
压电器件

[发明专利]电介质陶瓷及其制造方法及层合陶瓷电容器-CN200810087868.4有效
发明人：上田周作;金田和巳;池见慎一郎 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低成为鸣音原因的位移的电介质陶瓷及能够减少鸣音发生的层合陶瓷电容器。所述电介质陶瓷由用Ba－Ti－Zr－Re－Me－O₃(Re为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的至少1种金属元素，Me为选自Mg、Cr及Mn中的金属元素，Zr为任意成分)表示的固溶体和SiO₂构成，其中，Ti∶Zr为100∶0～80∶20，Ti+Zr为100mol时，Ba为97mol～103mol，Re为2mol～18mol，Me为2mol～18mol，SiO₂为0.5mol～10mol。
电介质陶瓷及其制造方法电容器

[发明专利]介质陶瓷及叠层陶瓷电容器-CN200710097962.3无效
发明人：金田和巳;上田周作;池见慎一郎 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2007-04-25 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种介质陶瓷及Ni内部电极叠层陶瓷电容器，所述介质陶瓷的可靠性比先前高，且介电常数的温度特性满足X6S特性。本发明的特征在于，以ABO₃+aRe+bM+Zr氧化物(其中，ABO₃以表示钙钛矿型结构的通式表示钛酸钡系固溶体，Re是从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中选择的至少1种金属的氧化物，M是从Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu及Zn中选择的金属元素的氧化物，a、b表示将各氧化物换算为包含1个金属元素的化学式时的相对于1mol的ABO₃的mol数)表示时，处于1.100≤Ba/Ti≤1.700、0.05≤a≤0.25、0.05≤b≤0.25的范围，Zr氧化物以相对于Ti的Zr的比率表示时，处于Ti∶Zr＝95∶5～60∶40的范围。
介质陶瓷电容器