[发明专利]一种测试具有浮动栅极的非易失性存储器单元的数据保持的方法

权利要求书

1.一种测试非易失性存储器单元的方法，该存储器单元具有用于在其上存储电荷的浮动栅极，其中所述方法用于如果存储器单元具有依赖于该浮动栅极的电压的绝对值的来自该浮动栅极的漏电流就测试该存储器单元，其中所述单元的特征在于在正常操作期间施加的第一擦除电压、第一编程电压与第一读取电压，以及在正常操作期间检测到的擦除的存储器单元的第一读取电流，其中所述方法包括：

施加大于该第一擦除电压的电压来过度擦除该浮动栅极；

使包括该浮动栅极的该存储器单元经受单一高温烘烤；以及

通过施加低于该第一读取电压的读取电压来测试该浮动栅极的数据保持。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元的特征在于：

第一导电类型的并且具有顶表面的单晶衬底；

在所述衬底中沿着该顶表面的第二导电类型的第一区域；

第二导电类型的第二区域，其在所述衬底中沿着该顶表面，与该第一区域间隔开；

在该第一区域与该第二区域之间的沟道区域；

位于该沟道区域的第一部分之上的字线栅极，其通过第一绝缘层与该沟道区域间隔开；

位于该沟道区域的另一部分之上的浮动栅极，其与该字线栅极相邻且分开，其中该浮动栅极通过第二绝缘层与该沟道区域分开；

位于该浮动栅极之上并通过第三绝缘层与其绝缘的耦合栅极；以及

擦除栅极，其被定位成与该浮动栅极相邻且在与该字线栅极相对的侧；所述擦除栅极位于该第二区域之上并且与其绝缘。

3.根据权利要求2所述的方法，其中如果在所述经受步骤之后该存储器单元的读取电流低于读取参考电流，则所述测试步骤确定该存储器单元是有缺陷的。

4.一种测试非易失性存储器单元的方法，该存储器单元具有用于在其上存储电荷的浮动栅极，其中所述方法用于如果存储器单元具有依赖于该浮动栅极的电压的绝对值的来自该浮动栅极的漏电流则测试该存储器单元，其中所述单元的特征在于在正常操作期间施加的第一擦除电压、第一编程电压和第一读取电压，以及在正常操作期间检测的编程的存储器单元的第一读取电流，其中所述方法包括：

施加大于该第一编程电压的电压来将该浮动栅极过度编程；

使包括该浮动栅极的该存储器单元经受单一高温烘烤；以及

通过施加大于该第一读取电压的读取电压来测试该浮动栅极的数据保持。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述存储器单元的特征在于：

第一导电类型并且具有顶表面的单晶衬底；

在沿着该顶表面的所述衬底中的第二导电类型的第一区域，

第二导电类型的第二区域，其在所述衬底中沿着所述顶表面，与该第一区域间隔开；

在该第一区域与该第二区域之间的沟道区域；

位于该沟道区域的第一部分之上的字线栅极，其通过第一绝缘层与该沟道区域间隔开；

位于该沟道区域的另一部分之上的浮动栅极，其与该字线栅极相邻且分开，其中该浮动栅极通过第二绝缘层与该沟道区域分开；

位于该浮动栅极之上并且通过第三绝缘层与其绝缘的耦合栅极；以及

擦除栅极，其被定位成与该浮动栅极相邻且在与该字线栅极相对的侧；所述擦除栅极位于该第二区域之上并且与其绝缘。

6.根据权利要求5所述的方法，其中如果在所述经受步骤之后该存储器单元的读取电流高于读取参考电流，则所述测试步骤确定该存储器单元是有缺陷的。