[发明专利]包括电磁吸收和屏蔽的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，该衬底包括：电介质核，所述电介质核上的导电层，以及所述导电层上的阻焊膜层，所述衬底包括第一吸收材料，所述第一吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一；

固定至所述衬底的一个或更多个半导体裸芯；

包封剂，所述包封剂覆盖至少该一个或多个半导体裸芯；以及

第一连续层和第二连续层，所述第一连续层和所述第二连续层提供在所述包封剂上，所述第一连续层和所述第二连续层彼此直接相邻，所述第一连续层包含第二吸收材料，所述第二吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一，并且所述第二连续层包含导电材料，所述导电材料用于为所述半导体装置屏蔽电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一，

其中所述第一吸收材料被设置为所述阻焊膜的一部分。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一吸收材料作为所述阻焊膜的一部分而被混合在所述阻焊膜中。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中在所述阻焊膜被施加于所述衬底之前，所述第一吸收材料以层形式被设置在所述阻焊膜上。

4.一种半导体装置，包括：

衬底，该衬底包括：电介质核，所述电介质核上的导电层，以及所述导电层上的阻焊膜层，所述衬底包括第一吸收材料，所述第一吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一；

固定至所述衬底的一个或更多个半导体裸芯；

包封剂，所述包封剂覆盖至少该一个或多个半导体裸芯；以及

第一连续层和第二连续层，所述第一连续层和所述第二连续层提供在所述包封剂上，所述第一连续层和所述第二连续层彼此直接相邻，所述第一连续层包含第二吸收材料，所述第二吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一，并且所述第二连续层包含导电材料，所述导电材料用于为所述半导体装置屏蔽电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一，

其中在所述阻焊膜被施加于所述衬底之后，所述第一吸收材料以层的形式被设置在所述阻焊膜上。

5.如权利要求1或4所述的半导体装置，其中所述第一吸收材料和第二吸收材料中的至少之一是铁氧体。

6.如权利要求1或4所述的半导体装置，其中所述第一吸收材料和第二吸收材料中的至少之一是碳化硅、碳纳米管、二氧化镁、羰基铁粉末、铝硅铁粉、硅化铁、磁性合金和磁性薄片及粉末中的一种。

7.一种半导体装置，包括：

衬底；

所述衬底上的阻焊膜层，所述阻焊膜层包括第一吸收材料，所述第一吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一；

固定并电连接至所述衬底的一个或更多个半导体裸芯；

包封至少所述一个或更多个半导体裸芯的模塑料；以及

设置在所述模塑料上的第一连续层和第二连续层，所述第一连续层包括第二吸收材料，所述第二吸收材料用于吸收EMI和RFI中的至少之一，并且所述第二连续层包括导电材料，所述导电材料用于为所述半导体装置屏蔽EMI和RFI中的至少之一。

8.如权利要求7所述的半导体装置，还包括接地管脚，所述接地管脚连接至所述衬底中的接地平面并连接至所述第二连续层。

9.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一吸收材料和第二吸收材料具有相同的成分。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二吸收材料的第一连续层设置在所述模塑料的顶表面上以及所述模塑料的向下延伸并与所述衬底上的阻焊膜层相接触的侧面上，所述第一吸收材料和第二吸收材料完全包覆所述一个或更多个半导体裸芯。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其中所述第二吸收材料的第一连续层设置在所述模塑料的顶表面上，并且不设置在所述模塑料的延伸至与所述阻焊膜层相接触的侧面上。