[发明专利]用于高性能射频应用的传输线

说明书

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2011年9月2日提交的、名为“DIFFUSION BARRIER LAYER FOR USE IN A RADIO FREQUENCY TRANSMISSION LINE”的美国临时专利申请No.61/530,915，2011年9月6日提交的、名为“DIFFUSION BARRIER LAYER FOR USE IN A RADIO FREQUENCY TRANSMISSION LINE”的美国临时专利申请No.61/531,553，以及2011年11月18日提交的、名为“FINISH PLANTING FOR HIGH PERFORMANCE RADIO FREQUENCY APPLICATIONS”的美国临时专利申请No.61/561,742的权益。这些申请中每一个的公开通过引用整体合并于此。

技术领域

公开的技术涉及一种用于高性能射频应用的传输线。

背景技术

传输线可以实施于多种环境中，例如封装基板或印刷电路板(PCB)。多层层压(laminate)PCB或封装基板被广泛用于射频(RF)应用。

例如功率放大器、低噪声放大器(LNA)、混频器、压控振荡器(VCO)、滤波器、开关和整个收发机的RF电路已经使用半导体工艺来实现。然而，在RF模块(例如包括功率放大器、开关和/或滤波器的RF前端模块)中，由于不同块以不同的半导体工艺来实现，单芯片集成可能不实际。例如，功率放大器可以通过GaAs制程形成，而相关的控制和/或偏置电路可以通过CMOS制程形成。

长传输线和/或片上(on-chip)结构件(passives)会消耗大的芯片面积。因此，多芯片模块(MCM)和/或系统级封装(SiP)组装工艺可以被用来在RF模块中获得低成本、小尺寸和/或高性能。层压工艺可以被用于MCM组装，在所述MCM组装中传输线在层压基板上实施。这样的传输线中的传导损失对于MCM中的任意元件的性能会有重大的影响。因此，层压镀工艺会重大地影响影响RF性能。

层压工艺的成本可以被用于性能和/或组装需要的选择材料驱动。使用金(Au)引线接合将RF电路元件连结到传输线的RF SiP可以使用各种不同的精加工镀层，诸如较低损耗、较昂贵的NiAu(例如由于更厚的Au)或较高损耗、不太昂贵的NiPdAu。因此，存在对用于RF传输线的效能成本合算的、高性能工艺的需要。

发明内容

在权利要求中描述的每一项创新具有数个方面，其中没有任何单个方面单独对其所希望的属性负责。在不限定本发明的范围的情况下，现在将简短讨论一些突出的特征。

本公开的一个方面是被配置为在射频(RF)电路中使用的射频(RF)传输线。RF传输线包括接合层、阻挡层和扩散阻挡层，以及导电层。接合层具有接合表面并被配置用于接收RF信号。阻挡层被配置用于防止污染物进入接合层。阻挡层紧邻接合层。扩散阻挡层被配置用于防止污染物进入接合层。扩散阻挡层紧邻阻挡层。扩散阻挡层具有允许接收的RF信号穿透扩散阻挡层到达紧邻扩散阻挡层的导电层的厚度。

在一些实现中，接合层、阻挡层和扩散阻挡层可以实现在精加工镀层中。

根据某些实现，接合层可以包括金。

在各种实现中，接合表面可以被配置用于引线接合。

根据一些实现，阻挡层可以包括钯。

根据某些实现，扩散阻挡层可以包括镍。在一些实现中，扩散阻挡层的厚度可以在从大约0.04μm到大于0.7μm的范围内。根据一些实现，扩散阻挡层的厚度不大于约0.5μm。根据各种实现，扩散阻挡层的厚度可以不大于约0.35μm。根据某些实现，扩散阻挡层的厚度可以不大于约0.75μm。在一些实现中，扩散阻挡层的厚度可以小于镍在大约0.45GHz的频率处的透入深度。

依照一些实现，扩散阻挡层的厚度可以小于扩散阻挡层在大约0.45GHz的频率处的透入深度。

根据一些实施例，导电层可以包括铜、铝或银中的一种或多种。例如，在某些实现中，导电层可以包括铜。

在各种实现中，基本上所有接收的RF信号可以在导电层中传播。