[发明专利]FinFET结构和用于调整FinFET结构中的阈值电压的方法

权利要求书

1.一种包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移的方法，其中，氧退火处理是在硅化之后执行的。

2.根据权利要求1的方法，其中，氧退火处理是在约400℃～约500℃下执行的横向氧扩散处理。

3.根据权利要求2的方法，其中，Vt漂移处于0～400mV的范围中，其中，处理窗口由热力学边界和动力学边界确定。

4.根据权利要求1的方法，还包括拉低FinFET结构的栅极叠层上的侧壁间隔物以至少露出在FinFET结构的鳍上形成的高k电介质材料，使得该高k电介质材料经受氧退火处理。

5.根据权利要求4的方法，其中，在氧退火处理之前通过蚀刻处理执行拉低。

6.根据权利要求5的方法，还包括通过在栅极叠层的侧壁上沉积间隔物材料，而在氧退火处理之后在栅极叠层上制造侧壁间隔物的上部。

7.根据权利要求4的方法，其中，高k电介质材料是HfO₂或ZrO₂中的一种。

8.根据权利要求4的方法，其中，氧退火处理填充高k电介质材料中的氧空位，从而导致FinFET结构的阈值电压漂移。

9.根据权利要求4的方法，其中，氧退火处理是自限制的，并避免引入额外可变性。

10.一种方法，包括：

在绝缘体层上形成多个鳍结构；

形成包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层，该栅极叠层包含沉积于多个鳍结构上的高k电介质材料；和

通过使高k电介质材料经受氧退火处理而调整栅极叠层的Vt阈值。

11.根据权利要求10的方法，其中，氧退火处理是在约400℃～约500℃下执行的横向氧扩散处理。

12.根据权利要求10的方法，其中，Vt漂移处于0～400mV的范围中。

13.根据权利要求10的方法，其中，栅极叠层包含在栅极叠层的侧壁上形成侧壁间隔物，该侧壁间隔物被形成在高k电介质材料上。

14.根据权利要求13的方法，其中，还包括拉低栅极叠层上的侧壁间隔物以至少露出高k电介质材料，使得高k电介质材料经受氧退火处理。

15.根据权利要求14的方法，其中，在氧退火处理之前通过蚀刻处理执行拉低。

16.根据权利要求15的方法，还包括通过在栅极叠层的侧壁上沉积间隔物材料，而在氧退火处理之后在栅极叠层上制造侧壁间隔物的上部。

17.根据权利要求10的方法，其中，氧退火处理填充高k电介质材料中的氧空位，从而导致栅极叠层的阈值电压漂移。

18.根据权利要求10的方法，其中，氧退火处理是自限制的，并避免引入额外可变性。

19.根据权利要求10的方法，还包括在高k电介质材料上形成功函金属。

20.一种结构，包括：

从半导体膜图案化的多个鳍结构；和

包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层，该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。