[发明专利]半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法以及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜。 

背景技术

半导体装置的制造步骤中的半导体晶片的薄化加工通常通过磨削半导体晶片的电路非形成面（背面）来进行。背面磨削时的半导体晶片的电路形成面的保护可通过各种方法来进行。 

例如包含蓝宝石基板的半导体晶片的电路形成面的保护可通过以下方法来进行（例如专利文献1及非专利文献1）。即，准备在表面设有蜡树脂层的陶瓷板。接着，将蜡树脂层加热使其熔融，将蓝宝石基板的电路形成面嵌入至熔融状态的蜡树脂层。接着，将蜡树脂层冷却并使其固化。由此，通过蜡树脂层保护蓝宝石基板的整个电路形成面。作为蜡树脂，通常由松香系蜡（包括松香、褐煤蜡及酚醛树脂等蜡、熔点50℃左右）构成。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：国际公开第2005/099057号 

非专利文献 

非专利文献1：DISCO Press Release株式会社2009年11月5日因特网（URL:http://www.disco.co.jp/jp/news/press/20091105.html） 

发明内容

发明要解决的课题 

然而，上述方法中，为了将背面磨削后的蓝宝石基板自蜡树脂层剥离，必须使蜡树脂层加热熔融。而且，必须通过溶剂清洗除去蓝宝石基板表面所残留的蜡树脂，步骤烦杂。另外，背面磨削后的蓝宝石基板由于厚度非常薄，容易产生翘曲，因此有在这些步骤中容易破裂的问题。 

因此，本发明人等研究了通过较容易剥离的半导体晶片保护膜来保护蓝宝石基板的电路形成面的方法。以往的半导体晶片保护膜具有基材层与粘着层。并且，在将半导体晶片保护膜的粘着层贴附于半导体晶片的电路形成面后，磨削半导体晶片背面。然后，通过胶带剥离机等剥离半导体晶片保护膜。 

然而，使用以往的半导体晶片保护膜的方法中，存在背面磨削时蓝宝石基板的端部容易破损的问题。即，如图3所示，在蜡工法中，将蓝宝石基板1的全部端部嵌入蜡树脂层2内，因而容易稳定地保持蓝宝石基板1的端部。另一方面，如图4所示，在使用以往的半导体晶片保护膜的方法中，蓝宝石基板1的端部并未嵌入至半导体晶片保护膜4的内部，因此难以稳定保持蓝宝石基板1的端部。因此可以认为，背面磨削时蓝宝石基板1的端部与磨石3等接触而容易破损。 

本发明是鉴于上述情况而完成的，目的是提供一种特别是在蓝宝石基板等硬且脆的半导体晶片中，亦可无破损地进行背面磨削的半导体装置的制造方法、适合于上述制造方法的半导体晶片表面保护用膜。 

用于解决课题的手段 

本发明人等发现，在背面磨削时，通过利用隆起部（凸缘（rim））保持半导体晶片的端部附近，可抑制半导体晶片端部的破损。并且努力研究的结果发现了可通过热压接较容易地形成隆起部（凸缘），且即便在背面磨削时的温度亦可良好地维持隆起部（凸缘）的形状的膜的构成。 

即，本发明的第一发明涉及以下的半导体晶片表面保护用膜。 

[1]一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：基材层（A），其在150℃的储存弹性模量G_A（150）为1MPa以上；以及软化层（B），其在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量G_B（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上。 

[2]如[1]所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层（B）在100℃的储存弹性模量G_B（100）为1MPa以上。 

[3]如[1]或[2]所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述软化层（B）在60℃的拉伸弹性模量E_B（60）与在25℃的拉伸弹性模量E_B（25）满足1＞E_B（60）/E_B（25）＞0.1的关系。 

[4]如[1]至[3]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，进一步包括粘着层（C），其隔着上述软化层（B）而配置于与上述基材层（A）相反侧；上述粘着层（C）的依据JIS Z0237而测定的粘着力为0.1N/25mm～10N/25mm。 

[5]如[1]至[4]中任一项所述的半导体晶片表面保护用膜，其中，上述基材层（A）配置于最表面。