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[发明专利]压电装置、力传感器、及生物体信息获取装置-CN202180063854.2在审
发明人：丸子展弘;吉田光伸;尾崎胜敏 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：压电装置具备：第1压电传感器，其具有第1内部导体、第1压电体、第1外部导体；第2压电传感器，其具有第2内部导体、第2压电体、第2外部导体；和差动信号形成部，其具有一对差动输入端子。对于第1压电传感器而言，若外力作用于第1压电体，则与由外力导致的第1压电体的位移相应地，相对于第1外部导体而使第1内部导体中产生第1电压。对于第2压电传感器而言，若外力作用于第2压电体，则与由外力导致的第2压电体的位移相应地，相对于第2外部导体而使第2内部导体中产生电压的正负与第1电压不同的第2电压。第1内部导体电连接于一个差动输入端子。第2内部导体电连接于另一个差动输入端子。差动信号形成部基于输入至前述一个差动输入端子的第1信号及输入至前述另一个差动输入端子的第2信号而形成差动信号。
压电装置传感器生物体信息获取

[发明专利]高分子压电膜-CN201580059650.6有效
发明人：佐藤圭祐;谷本一洋;太田浩二;尾崎胜敏;大西克己 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：高分子压电膜，其包含重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A)，对于所述高分子压电膜而言，利用DSC法得到的结晶度为20％～80％，利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc为3.5～15.0，利用在线膜厚计测得的表示膜的宽度方向的位置与膜的厚度的关系的波形中，每1000mm膜宽的下述峰A的个数为20个以下。峰A：峰高为1.5μm以上，并且，峰斜率为0.000035以上。
高分子压电

[发明专利]高分子压电膜-CN201580053137.6在审
发明人： 尾崎胜敏;谷本一洋;佐藤圭祐;天野正己 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：高分子压电膜，其包含重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子，对于所述高分子压电膜而言，利用DSC法得到的结晶度为20％～80％，并且，利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc与上述结晶度的乘积为40～700，将膜面内的慢轴方向上的折射率设定为nx、将膜面内的快轴方向上的折射率设定为ny、将膜的厚度方向上的折射率设定为nz、并设定Nz系数＝(nx‑nz)/(nx‑ny)时，Nz系数在1.108～1.140的范围内。
高分子压电

[发明专利]高分子压电膜-CN201580042591.1在审
发明人：谷本一洋;佐藤圭祐;北河敏久;尾崎胜敏 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：本发明提供一种高分子压电膜，其包含重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A)，利用DSC法得到的结晶度为20％～80％，并且，利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc与上述结晶度的乘积为25～700，至少一个面的表面粗糙度以利用激光共聚焦显微镜测得的非接触三维表面粗糙度Sa计为0.040μm～0.105μm。
高分子压电

[发明专利]半导体装置的制造方法及该方法中所使用的半导体晶片表面保护用膜-CN201280038816.2有效
发明人：林下英司;尾崎胜敏;酒井充;森本哲光;小野博之;国重仁志 -专利权人：三井化学东赛璐株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种即便对于硬且脆的半导体晶片，亦可无破损地进行背面磨削的半导体晶片表面保护用膜。具体而言，本发明提供一种半导体晶片表面保护用膜，其包括：在150℃的储存弹性模量G_A（150）为1MPa以上的基材层（A），以及在120℃～180℃的任意温度的储存弹性模量G_B（120～180）为0.05MPa以下、且在40℃的储存弹性模量G_B（40）为10MPa以上的软化层（B）。
半导体装置制造方法使用晶片表面保护

[发明专利]扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法-CN201180033494.8有效
发明人：林下英司;尾崎胜敏;酒井充;大池节子 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的课题在于获得一种低污染、具有对于以往的烯烃系扩张性基材而言不充分的高扩张性、且不易颈缩的烯烃系扩张性基材及切割膜。为了达成上述课题，本发明提供一种扩张性膜，其为含有在23℃时的拉伸弹性模量为100MPa～500MPa的1-丁烯·α-烯烃共聚物（A）、以及包含丙烯·α-烯烃共聚物（b1）且在23℃时的拉伸弹性模量为10MPa～50MPa的丙烯系弹性体组合物（B）的基材，并且相对于（A）与（B）的合计100重量份，上述（B）的含量为30重量份～70重量份。
扩张切割以及半导体装置制造方法

[发明专利]半导体晶片表面保护用薄片、使用其的半导体晶片的保护方法以及半导体装置的制造方法-CN201180009655.X有效
发明人：林下英司;才本芳久;片冈真;尾崎胜敏;酒井充 -专利权人：三井化学东赛璐株式会社
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）<0.1的关系，并且前述在60℃时的拉伸弹性模量EA（60）为0.005～1MPa的树脂层（A）；和在60℃时的储能模量EB（60）为1MPa以上、高于前述树脂层（A）在60℃时的储能模量EA（60），并且厚度为0.1μm以上且不足100μm的树脂层（B）。
半导体晶片表面保护薄片使用方法以及装置制造

[发明专利]粘着材、粘着薄膜及其使用方法-CN200580008916.0无效
发明人：相原伸;尾崎胜敏;森亮二;猿渡益巳;横山孝 -专利权人：三井化学株式会社
申请日： 2005-03-18 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种粘着材和含有该粘着材的粘着薄膜，其特征在于满足以下的必要条件(a)及(b)。本发明的粘着材和粘着薄膜对光或热以及各种药品显示优越的稳定性，在对性能或质量要求严格的电子·半导体材料、光学·显示材料等领域，适合表面保护用途、输送保管用途、加热处理用途、磨削研磨用途、切断加工用途、输送保管用途。(a)含有烯烃系聚合物，(b)在利用示差扫描热量分析试验的测定中，熔化温度Tm在80～180℃的范围，熔化热ΔH至少为1J/g。
粘着薄膜及其使用方法