[实用新型]三维封装结构有效
| 申请号： | 201220545368.2 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN202905706U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 封装 结构 | ||
1.一种三维封装结构，其特征在于，包括：
第一半导体装置，所述第一半导体装置包括位于底层的第一衬底和位于中间的第一器件层，以及位于顶层的第一键合层，所述第一键合层包括一个或多个第一焊垫，所述第一键合层还包括一个或多个与所述第一器件层中的器件电连接的第一外接焊垫；
第二半导体装置，所述第二半导体装置包括位于底层的第二衬底和位于中间的第二器件层，以及位于顶层的第二键合层，所述第二键合层包括一个或多个第二焊垫，所述第二键合层与所述第一键合层键合连接，且所述第一焊垫与第二焊垫键和连接；以及
使所述第一外接焊垫暴露的通孔，所述通孔的四周填充有介电质，所述通孔的中间填充有与所述第一外接焊垫电连接的金属。
2.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，所述第一半导体装置的厚度为2um-200um。
3.根据权利要求1所述的三维封装结构，其特征在于，所述通孔贯穿所述第一衬底和第一器件层，或贯穿所述第二半导体装置。
4.根据权利要求1至3任一项所述的三维封装结构，其特征在于，所述第一半导体装置包括一个或多个系统级芯片。
5.根据权利要求1至3任一项所述的三维封装结构，其特征在于，所述第二半导体装置包括一个或多个存储器芯片。
6.根据权利要求1或2所述的三维封装结构，其特征在于，所述第二半导体装置的厚度为2um-200um。
7.根据权利要求2所述的三维封装结构，其特征在于，所述第一半导体装置的厚度为20um-50um。
8.根据权利要求6所述的三维封装结构，其特征在于，所述第二半导体装置的厚度为20um-50um。
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