[实用新型]一种金属有机物化学气相沉积装置

权利要求书

1.一种金属有机物化学气相沉积装置，所述装置包括一个反应腔，反应腔内包括一个放置待处理基片的基座，所述基座设置在旋转轴上，使所述基座转速大于500转/分钟；

一个气体分布器与所述基座相对并向所述基座供应气体，所述气体分布器包括多条平行排布的气体分布管道，所述气体分布管道包括第一气体分布管道和第二气体分布管道，分别与第一反应气体源和第二反应气体源相连通，其中第一气体分布管道与第二气体分布管道交替排布；

所述多条第一气体分布管道和第二气体分布管道下方还包括一个导气部件，所述导气部件下表面包括多个凹槽和向下突出部；

所述多个凹槽与所述多个第一气体管道位置对应，所述凹槽内包括第一导气槽与所述多个第一气体分布管道连通；

所述多个突出部与所述多个第二气体分布管道位置对应，所述突出部内包括多个第二导气槽与所述第二气体分布管道连通；

所述第一气体分布管道与第二气体分布管道平行交替分布且具有相同的距离L。

2.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积装置，所述基座转速大于600转/分钟小于1200转/分钟。

3.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积装置，第二反应气源包括金属有机物气体，第一反应气源为包括NH3，H2之一。

4.根据权利要求1所述的金属有机物化学气相沉积装置，所述多个第一或第二导气槽在中心区域和两端区域具有不同的流量。

5.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积装置，所述第一或第二导气槽的两端有多个通孔排列组成。

6.根据权利要求4所述的金属有机物化学气相沉积装置，其中第一或第二导气槽具有不同的开口宽度。

7.一种金属有机物化学气相沉积装置，所述装置包括一个反应腔，反应腔内包括一个放置待处理基片的基座，所述基座设置在旋转轴上，使所述基座转速大于500转/分钟；

一个气体分布器与所述基座相对并向所述基座供应气体，所述气体分布器包括多条平行排布的气体分布管道，所述气体分布管道包括第一气体分布管道和位于多条第一气体分布管道之间的多个间隙，所述多个第一气体分布管道与第一反应气体源连通，所述位于第一气体分布管道之间的多个间隙与第二反应气体源连通；

所述气体分布器还包括一个导气部件，所述导气部件下表面包括多个凹槽和向下突出部；

所述多个突出部与所述多个第一气体分布管道位置对应，所述突出部内包括多个第一导气槽与所述第一气体分布管道连通；

所述多个凹槽与所述多个间隙位置对应，所述凹槽内包括第二导气槽与所述多个间隙连通；

所述第一导气槽与第二导气槽平行，交替分布且具有相同的距离L。

8.根据权利要求7所述的金属有机物化学气相沉积装置，所述多个第一或第二导气槽在中心区域和两端区域具有不同的流量。

9.根据权利要求1或7所述的金属有机物化学气相沉积装置，其中所述气体分布器下表面呈圆形，所述多条第一和第二导气槽从中心到边缘交替分布，所述圆形下表面包括一个中心线位于所述最中心处的第一与第二气体分布管道之间。

10.根据权利要求9所述的金属有机物化学气相沉积装置，其中所述中心线与第一导气槽的距离在0.3-0.7L之间。

11.根据权利要求7所述的金属有机物化学气相沉积装置，第二反应气源包括金属有机物气体，第一反应气源为包括NH3，H2之一。