[实用新型]双通道均化低压化学气相沉积系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及无机合成化学技术领域，具体地说，涉及一种化学气相沉积系统。

背景技术

化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。

目前，利用化学气相沉积技术，在沉积室内的基片上制得SiO₂或者多晶硅，是生产电子元件的重要环节。现有技术中，用来制得SiO₂或者多晶硅的化学气相沉积系统，如图1所示，主要包括沉积室11、设在沉积室11内的石英舟12、若干个插装在石英舟12上的基片13和设在沉积室11底部的加热系统15；沉积室11的一端设有一号进气口16和二号进气口17，分别用于向沉积室11内充入SiH₄、O₂两种气体；沉积室11的另一端设有抽气口14。其缺点是：进入沉积室11内的气流不均匀，导致沉积效果差。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种沉积室内气流均匀、可保证理想沉积效果的双通道均化低压化学气相沉积系统。

为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是：

一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室、设在沉积室内的石英舟、若干个插装在石英舟上的基片和设在沉积室底部的加热系统；沉积室的一端设有抽气口，其特征在于：所述沉积室内设有进气管，进气管的两端口分别穿出沉积室的两端，位于沉积室内的进气管的管壁上均匀设置有若干个透气孔。

进一步地说，所述进气管的数目为两个。

作为上述技术方案的改进：所述进气管的两个端口中，至少有一个端口处安装有流量调节阀。

进一步地说，所述进气管的两个端口处都安装有带有调节流量大小的刻度阀。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型的沉积室内的气流均匀，可保证理想的沉积效果。

附图说明

图1为现有技术中化学气相沉积系统的一种结构示意图；

图2为本实用新型一种是实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。

如图2所示，一种双通道均化低压化学气相沉积系统，包括沉积室21、设在沉积室21内的石英舟22、若干个插装在石英舟22上的基片23和设在沉积室21底部的加热系统25，沉积室21的一端设有抽气口24。所述沉积室内设有两个进气管，分别是：一号进气管26和二号进气管27。两个进气管的两端口分别穿出沉积室21的两端，位于沉积室21内的一号进气管26的管壁上均匀设置有若干个一号管透气孔26a，位于沉积室21内的二号进气管27的管壁上均匀设置有若干个二号管透气孔27a。一号进气管26的两个端口处分别安装有第一流量调节阀26b和第二流量调节阀26c。二号进气管27的两个端口处分别安装有第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c。

所述的第一流量调节阀26b、第二流量调节阀26c、第三流量调节阀27b和第四流量调节阀27c均为带有调节流量大小的刻度阀。

当然，作为本实用新型的其他实施例，也可以仅在一号进气管26任意一端的端口处和二号进气管27任意一端的端口处安装流量调节阀。

使用时，从一号进气管26的两个端口向一号进气管26内充入SiH₄（或者O₂）气体，SiH₄（或者O₂）气体通过一号进气管26管壁上的各个一号管透气孔27a进入沉积室21内；从二号进气管27的两个端口向二号进气管27内充入O₂（或者SiH₄）气体，O₂（或者SiH₄）气体通过二号进气管24管壁上的各个二号管透气孔27a进入沉积室21内。这样，可使沉积室21内的气流均匀，保证沉积的效果更加理想。通过两个进气管端口处安装的流量调节阀可对进入沉积室21内的气体流量进行适当的调节，以便达到最佳效果。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。