[实用新型]一种上电复位电路

权利要求书

1.一种上电复位电路，包括三部分电路，其特征在于，所述三部分电路中第一电源电压延迟产生电路(100)与第二电源电压延迟产生电路(200)分别与复位信号脉冲产生电路(300)相接；

所述第一电源电压延迟产生电路(100)包括：

第一偏置电压产生电路(1)，它的一端接电源，一端接地，另一端与第三MOS晶体管(M3)的栅端相连；

第一MOS晶体管(M1)，其源端连接到电源，栅端与自身的漏端相连，并连接到第二MOS晶体管(M2)的源端；

第二MOS晶体管(M2)，其源端与所述第一MOS晶体管(M1)的漏端相连，栅端接地，漏端与第三MOS晶体管(M3)的漏端相连；

第三MOS晶体管(M3)，其源端接地，栅端与所述偏置电压产生电路(1)的一端相连，漏端与第二MOS晶体管(M2)的漏端相连，同时连接到第四MOS晶体管(M4)的栅端；

第四MOS晶体管(M4)，其源端和漏端都与地相连，栅端与所述第三MOS晶体管(M3)的漏端相连；

第五MOS晶体管(M5)，其栅端与所述第四MOS晶体管(M4)的栅端相连，源端接电源，漏端与第六MOS晶体管(M6)的漏端相连；

第六MOS晶体管(M6)，其栅端与所述第四MOS晶体管(M4)的栅端相连，源端接地，漏端与第五MOS晶体管(M5)的漏端相连；

第一施密特触发器(3)，其一端与第五MOS晶体管(M5)的漏端相连，另一端与复位信号脉冲产生电路(300)复位信号脉冲产生电路的异或电路(6)一端相连；

所述第二电源电压延迟产生电路(200)包括：第二偏置电压产生电路(2)，第七MOS晶体管(M7)，第八MOS晶体管(M8)，第九MOS晶体管(M9)，第十MOS晶体管(M10)，第十一MOS晶体管(M11)，第十二MOS晶体管(M12)和第二施密特触发器(4)；所述第二电源电压延迟产生电路200)与第一电源电压延迟产生电路(100)电路结构相同；

所述第三复位信号脉冲产生电路300)包括：

第一反向器电路(5)，输入端与第二电源电压延迟产生电路(200)的施密特电路的输出端相连，输出端与异或电路(6)的一输入端相连；

异或电路(6)，两输入端分别与第一电源电压延迟产生电路(100)的输出端和第一反向器电路(5)的输出端相连，输出端连接到第二反向器电路(7)的输入端；

第二反向器电路(7)，其输入端连接到异或电路(6)的输出端，输出端连接到第三反向器电路(8)的输入端；

第三反向器电路(8)，其输入端连接到第二反向器电路(7)的输出端，输出端连接到电路外部。

2.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：所述第十MOS晶体管(M10)的电容量大于第四MOS晶体管(M4)的电容量。

3.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：所述第一偏置电压产生电路(1)和第二偏置电压产生电路(2)是由PMOS晶体管和NMOS晶体管组成。

4.根据权利要求1所述的一种上电复位电路，其特征在于：所述第一电源电压延迟产生电路(100)中的第三MOS晶体管(M3)和第二电源电压延迟产生电路(200)中的第九MOS晶体管(M9)能在导通和断开两种状态中转换。