[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 201210597892.9 | 申请日: | 2009-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN103594526A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 米田修二;大石正人;篠原保;渡边信二;宫田浩司;深江诚二;山内健二;后藤阳一;马场雅和 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;褚海英 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
基板,在所述基板上形成有配线层、电极焊盘和光电二极管的光接收区域,所述配线层位于所述光接收区域的周围,所述电极焊盘位于所述配线层上;
在所述基板的上表面上形成的树脂层,所述树脂层包括位于所述光接收区域的周围的至少一个凹槽,并保留在所述基板的所述上表面上的除所述光接收区域、所述至少一个凹槽和所述电极焊盘之外的区域上,且所述树脂层具有耐热和遮光能力,
其中,在所述光接收区域上方存在有树脂膜。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其还包括:
模塑树脂部,所述模塑树脂部是通过对上面带有所述树脂层的所述光电二极管进行模压密封而形成的,且所述模塑树脂部未覆盖所述光接收区域。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,所述基板包含多个半导体元件,所述多个半导体元件包含所述光电二极管。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,所述至少一个凹槽包括具有不同直径的多个同心圆凹槽。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置制造,其中,所述树脂层由聚酰亚胺树脂形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





