[发明专利]封装片、光半导体装置的制造方法、光半导体装置及照明装置无效
申请号: | 201210587509.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103187517A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 河野广希;近藤隆;江部悠纪;胁家慎介 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社;IDEC株式会社 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/56 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 半导体 装置 制造 方法 照明 | ||
1.一种封装片,其特征在于,其用于封装光半导体元件,其具备:
含有荧光体的第一层,以及
含有荧光体、层叠在所述第一层上、用于封装所述光半导体元件的第二层,
所述第一层中的所述荧光体的体积与所述第二层中的所述荧光体的体积之比为90:10~55:45。
2.根据权利要求1所述的封装片,其特征在于,所述第一层和所述第二层含有有机硅树脂。
3.根据权利要求1所述的封装片,其特征在于,所述第一层中含有的所述荧光体和所述第二层中含有的所述荧光体为(Sr,Ba)2SiO4:Eu。
4.根据权利要求1所述的封装片,其特征在于,调整所述第一层中含有的所述荧光体与所述第二层中含有的所述荧光体的总量,使得在使封装的所述光半导体元件发光时,总光通量测定中的CIE-y为0.32~0.37。
5.一种光半导体装置的制造方法,其特征在于,其包括以下工序:
准备用于封装光半导体元件的封装片的工序,所述封装片具备含有荧光体的第一层,以及含有荧光体、层叠在所述第一层上、用于封装所述光半导体元件的第二层,所述第一层中的所述荧光体的体积与所述第二层中的所述荧光体的体积之比为90:10~55:45;
使所述封装片的所述第二层朝向所述光半导体元件而使所述封装片与所述光半导体元件相对的工序;以及
将相对的所述封装片和所述光半导体元件的至少一方沿使它们接近的方向按压来封装所述光半导体元件的工序。
6.一种光半导体装置,其特征在于,其具备:
光半导体元件,
含有荧光体、相对于所述光半导体元件隔着间隔相对配置的第一荧光层,以及
含有荧光体、夹在所述光半导体元件与所述第一荧光层之间、用于封装所述光半导体元件的第二荧光层,
所述第一荧光层中的所述荧光体的体积与所述第二荧光层中的所述荧光体的体积之比为90:10~55:45。
7.根据权利要求6所述的光半导体装置,其特征在于,所述第一荧光层和所述第二荧光层含有有机硅树脂。
8.根据权利要求6所述的光半导体装置,其特征在于,在所述光半导体元件与所述第一荧光层相对的方向上的所述第一荧光层的表面与所述光半导体元件间的距离比在与所述相对的方向正交的方向上的所述第二荧光层的表面与所述光半导体元件间的距离短。
9.根据权利要求6所述的光半导体装置,其特征在于,所述第一荧光层中含有的所述荧光体和所述第二荧光层中含有的所述荧光体为(Sr,Ba)2SiO4:Eu。
10.根据权利要求6所述的光半导体装置,其特征在于,调整所述第一荧光层中含有的所述荧光体与所述第二荧光层中含有的所述荧光体的总量,使得总光通量测定中的CIE-y为0.32~0.37。
11.一种照明装置,其特征在于,
其具备光半导体装置,
所述光半导体装置具备:
光半导体元件,
含有荧光体、相对于所述光半导体元件隔着间隔相对配置的第一荧光层,以及
含有荧光体、夹在所述光半导体元件与所述第一荧光层之间、用于封装所述光半导体元件的第二荧光层,
所述第一荧光层中的所述荧光体的体积与所述第二荧光层中的所述荧光体的体积之比为90:10~55:45。
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