[发明专利]ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：

（1）将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；

（2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空至1.0×10^-3 Pa，将基片加热至20~600℃，向反应室内通入氩气携带的二乙基锌、氩气携带的三甲基镓、氩气携带的三甲基铝和氧气，氧气、二乙基锌、三甲基镓和三甲基铝流量比为（100~150）：（4~8）:（1~2）:1，由质量流量计控制；控制气体总压强为0.8~2.0Pa；在电子回旋共振频率为650W，反应30min~3h, 得到Ga、Al共同掺杂ZnO光电透明导电薄膜。

2. 根据权利要求1所述的一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述基片为普通康宁玻璃、蓝宝石、石英、太阳能电池片、硅片或有机聚合物。

3.根据权利要求2所述的一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述太阳能电池片是未引入负电极的电池片或者是为引入负电极的薄膜太阳能电池片。

4.根据权利要求1所述的一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述二乙基锌、三甲基镓、和三甲基铝反应源的纯度均为99.99%，且由氩气携带进入反应室。

5.根据权利要求1所述的一种ECR-PEMOCVD低温沉积Ga、Al共同掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于所述氧气反应源的纯度为99.99%。