[发明专利]芯片板上封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

(A)提供一电路载板，其包括一第一电性连接垫及一第二电性连接垫位于该电路载板表面；

(B)提供一发光二极管，其包括一第一金属焊接层及一第二金属焊接层位于该发光二极管表面；

(C)提供一焊料合金层，该焊料合金层设置于该电路载板或该发光二极管的至少一表面；

(D)将该发光二极管组设于该电路载板表面，且该焊料合金层夹设于该电路载板及该发光二极管之间；以及

(E)加热该焊料合金层，使该发光二极管通过该第一金属焊接层及该第二金属焊接层而封装于该电路载板表面；

其中，于步骤(E)后，该第一金属焊接层及该第二金属焊接层通过该焊料合金层而各自独立电性连接至该第一电性连接垫及该第二电性连接垫，且该第一电性连接垫及该第二电性连接垫表面的该焊料合金层并未相连接。

2.如权利要求1所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该电路载板包含一绝缘层、以及一电路基板，该绝缘层的材质选自由类金刚石、氧化铝、陶瓷、以及含金刚石的环氧树脂所组群组的至少一者。

3.如权利要求2所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该电路基板是一金属板、一陶瓷板或一硅基板。

4.如权利要求1所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该焊料合金层是至少一选自由锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、铋(Bi)，或其合金所组成。

5.如权利要求1所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，于步骤(C)中，该焊料合金层设置于该电路载板的该第一电性连接垫及该第二电性连接垫表面之间。

6.如权利要求1所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，于步骤(C)中，该焊料合金层设置于该发光二极管的该第一金属焊接层及该第二金属焊接层表面之间。

7.如权利要求1所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，于步骤(C)中，该焊料合金层同时分别设置于该电路载板的该第一电性连接垫及该第二电性连接垫表面之间，及该发光二极管的该第一金属焊接层及该第二金属焊接层表面之间。

8.如权利要求1所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该发光二极管包括：

一半导体外延层，该半导体外延层包括一第一半导体外延层、一活性中间层、以及一第二半导体外延层，其中，该第二半导体外延层位于该发光二极管接合该电路载板的一侧，且该第二半导体外延层夹置于该电路载板及该活性中间层之间，该活性中间层夹置于该第一半导体外延层与该第二半导体外延层之间，且该半导体外延层经由该第一金属焊接层以及该第二金属焊接层封装于该电路载板；以及

一反射层，其夹置于该电路载板及该半导体外延层间。

9.如权利要求8所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该第一半导体外延层是部分未覆盖该活性中间层及该第二半导体外延层。

10.如权利要求8所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该发光二极管还包括一第一电极，该第一电极设置于该第一半导体外延层表面。

11.如权利要求8所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该发光二极管还包括一第二电极，该第二电极设置于该第二半导体外延层表面。

12.如权利要求8所述的芯片板上封装结构的制备方法，其特征在于，该发光二极管还包括一基板，设置于该第一半导体外延层上。

13.一种芯片板上封装结构，其特征在于，是依据权利要求1至12中任一项所述的芯片板上封装结构的制备方法而制得。