[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法以及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法以及一种液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是液晶显示器的一种，并且是主动式矩阵LCD。它具有低辐射性、厚度薄和耗电低等特点，被广泛应用于各种领域。

液晶显示器存在图像对比度随观看角度的增大而降低的问题，因而存在视角缺陷。为了实现广视角显示，面内切换(In-Plane Switch，IPS)型液晶显示面板以及边缘场开关(Fringe Field Switching，FFS)型液晶显示面板均己被开发出来。其中FFS是液晶界为解决大尺寸、高清晰度桌面显示器和液晶电视应用而开发的广视角技术。FFS技术将IPS的不透明金属电极改为透明的ITO电极，并缩小电极宽度和间距，通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在（平行于基板）平面方向发生旋转转换，从而提高液晶层的透光效率。FFS技术克服了常规IPS技术透光效率低的问题，在宽视角的前提下，实现高的透光效率。

请参考图1，图1为现有的IPS型液晶显示面板中的电极结构示意图。在IPS型液晶显示面板中，像素电极1和公共电极2之间形成水平电场用于驱动液晶。随着像素电极1和公共电极2之间距离增大，所需的驱动电压也需要增大，有时所需的驱动电压会超过驱动芯片所能供给的电压，这样会造成驱动芯片驱动所形成的水平电场强度太弱，无法很好的驱动液晶，导致显示不良。

请参考图2，图2为现有的FFS型液晶显示面板中的电极结构示意图。在FFS型液晶显示面板中，像素电极3是呈整面结构位于一个像素单元开口区域中，与其上方的公共电极4形成边缘电场。虽然该像素电极3为透明电极，但是该像素电极仍然会吸收5%透射光，造成面板透光率下降。

发明内容

为此，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，使用该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板不仅在不需要很大的驱动电压的情况下就能形成较强的水平电场，获得色偏较小液晶显示，而且能够使具有较高的开口率，透光率好。本发明所提供的薄膜晶体管阵列基板包括：

透明基板；

形成于所述透明基板上的数据线；

与所述数据线位于同一层的第一透明电极；

覆盖所述数据线和所述第一透明电极的绝缘层；

位于所述绝缘层上的第二透明电极，所述第二透明电极包括第一透明子电极和第二透明子电极；所述第一透明子电极位于所述第一透明电极的上方，并且所述第一透明子电极的宽度小于所述第一透明电极的宽度；所述第二透明子电极位于所述数据线上方，并且所述第二透明子电极的宽度大于所述数据线的宽度；

当薄膜晶体管阵列基板工作时，在所述第一透明电极与所述第二透明电极之间形成水平电场。

可选的，所述第二透明电极包括至少两个所述第一透明子电极；所述第二透明电极还包括至少一个电性连接的第三透明子电极，所述第三透明子电极位于相邻两个所述第一透明子电极之间。

可选的，所述第一透明子电极与所述第一透明电极在所述透明基板的法向上中心位置重叠。

可选的，所述第一透明电极为像素电极，所述第二透明电极为公共电极。

可选的，所述第一透明电极电连接至薄膜晶体管的漏极，所述数据线电连接至所述薄膜晶体管的源极，所述薄膜晶体管的栅极电连接扫描线。

本发明还提供了一种液晶显示装置，包括：

如上所述的薄膜晶体管阵列基板；

与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；

填充于所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

本发明还提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上形成第一透明电极和数据线；

形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一透明电极和所述数据线；

在所述绝缘层上形成第二透明电极，所述第二透明电极包括第一透明子电极和第二透明子电极；所述第一透明子电极位于所述第一透明电极的上方，并且所述第一透明子电极的宽度小于所述第一透明电极的宽度；所述第二透明子电极位于所述数据线上方，并且所述第二透明子电极的宽度大于所述数据线的宽度。

可选的，所述第二透明电极包括至少两个所述第一透明子电极；所述第二透明电极还包括至少一个第三透明子电极，所述第三透明子电极位于相邻的两个所述第一透明子电极之间。