[发明专利]一种半导体工艺的检测方法和检测系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体工艺的检测方法和检测系统。

背景技术

在半导体制造领域中，大多数的芯片制造公司会持续地维护保证数据库（warranty databases），以尽早地检测出各种潜在的严重问题。当一个严重的问题（也称事件）发生时，最终将造成非常严重的后果，不仅严重影响相关产品的质量和良率，甚至可能因此失去客户。通过采用灵敏的数据分析的方式对可能出现的严重问题进行早期检测，可以提前采取行动来减轻或避免潜在问题，进而可以降低经济成本并维持商业信誉。

在现有的IC制造中，已经有很多参数（指数）被IC晶圆厂定义，比如工艺能力检测中的工艺能力（Cp）/工艺能力指数（Cpk），以及工艺稳定性检测中的OCAP率等。并且，在每个工艺制程中都有很多早期检测方法，比如，线内/线下（inline/offline）SPC、失效隔离与分析（Failure isolation and analysis）、缺陷分析（defect analysis）、低良率分析（low yield analysis）以及材料分析（materials analysis），等。

目前，当一个异常事件（excursion case）发生时，相关的业务单元将加入来分析导致这一事件（case）的原因，并设定相应的预防措施。当另一个异常事件（excursion case）发生时，同样的处理方式将被用来解决这一事件。以这一方式来处理单独的事件是没有问题的，但是，现实生产中，经常发生这样的情况，异常总是发生在某一个晶圆厂（Fab），而另一个晶圆厂（Fab）可能却一直表现良好和稳定。

如何对某一晶圆厂的整个半导体工艺流程进行早期检测，现有技术中并不存在行之有效的方法。目前，并没有一个有效的参数指标（index）可以整体上评估晶圆厂的整个半导体工艺流程的早期检测能力（也称预先检测能力），使相关工作人员可以通过这一参数清楚地知晓某一晶圆厂（Fab）当前的早期检测能力以及这一晶圆厂的薄弱之处，比如扫描工具与制造工具不成比例、采样不充分等。因此，无法对晶圆厂的整个半导体工艺流程进行针对性改进，不利于降低生产成本。

因此，有必要提出一种新的半导体工艺的检测方法和检测系统，以实现对晶圆厂的整个半导体工艺流程的早期检测。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体工艺的检测方法和检测系统。

一方面，本发明提供一种半导体工艺的检测方法，包括：

对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；

其中，所述预定分数是预设的当某一事件发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数；在所述整个半导体工艺流程中，靠后的制程的预定分数低于靠前的制程的预定分数。

进一步的，所述整个半导体工艺流程的各个制程包括：线内制程、晶圆接受能力测试制程、最终测试制程。

进一步的，所述线内制程的预定分数为95，所述晶圆接受能力测试制程的预定分数为60，所述最终测试制程的预定分数为0。

进一步的，所述早期检测分数EDS=预定分数-延迟时间强度的分数；其中，延迟时间强度的分数=晶圆的移动速度×延迟的时间。

进一步的，所述方法还包括以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤；其中，所述早期检测指数EDI是对所述早期检测分数EDS进行数学运算的结果。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS可以具有如下关系：

EDI=∑EDSi/n；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数，n是事件发生的数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS可以具有如下关系：

EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS还可以具有如下关系：

EDI=∑EDSi/n+超出控制界限的比率，或者，EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi+超出控制界限的比率；

其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；n是事件发生的数量。

进一步的，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS还可以具有如下关系：