[发明专利]一种半导体工艺的检测方法和检测系统

权利要求书

1.一种半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

对晶圆厂的整个半导体工艺流程的各个制程进行早期检测；

根据早期检测结果和预定分数计算所述晶圆厂的早期检测分数EDS；

其中，所述预定分数是预设的当某一事件发生在某一制程且延迟为0时，相应的早期检测结果的分数；在所述整个半导体工艺流程中，靠后的制程的预定分数低于靠前的制程的预定分数。

2.如权利要求1所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述整个半导体工艺流程的各个制程包括：线内制程、晶圆接受能力测试制程、最终测试制程。

3.如权利要求2所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述线内制程的预定分数为95，所述晶圆接受能力测试制程的预定分数为60，所述最终测试制程的预定分数为0。

4.如权利要求1所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测分数EDS=预定分数-延迟时间强度的分数；其中，延迟时间强度的分数=晶圆的移动速度×延迟的时间。

5.如权利要求1所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述方法还包括以早期检测指数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤；其中，所述早期检测指数EDI是对所述早期检测分数EDS进行数学运算的结果。

6.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=∑EDSi/n；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数，n是事件发生的数量。

7.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi；其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量。

8.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=∑EDSi/n+超出控制界限的比率，或者，EDI=∑(WCi*EDSi)/∑WCi+超出控制界限的比率；

其中，EDSi是每一事件的所述早期检测分数；WCi是每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；n是事件发生的数量。

9.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=WF*∑EDSi/n+(1-WF)*∑(WCji*EDSj)/∑WCji；

其中，WF是权重因子；EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；WCji是与事件的类型相对应的每一事件中受到影响或报废的晶圆数量；EDSj也是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；n是事件发生的数量。

10.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述早期检测指数EDI与所述早期检测分数EDS具有如下关系：

EDI=WF1*∑EDSi/n+(1-WF1)*EDR；

其中，WF1是权重因子；EDSi是与事件的类型相对应的每一事件的早期检测分数；EDR是相对的早期检测指数；n是事件发生的数量。

11.如权利要求5所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，所述方法在所述以早期检测能力参数EDI为参照设定早期检测能力基准线的步骤之后，还包括：依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改进的步骤。

12.如权利要求11所述的半导体工艺的检测方法，其特征在于，在依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改进的步骤之后，还包括如下步骤：对所述改进的步骤所取得的效果进行判断；

当所述改进的步骤取得预定效果时，重新设定所述早期检测能力基准线，并依据所述重新设定的早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行持续改进；

当所述改进的步骤未取得预定效果时，保持所述早期检测能力基准线不变，重新依据所述早期检测能力基准线对所述半导体工艺流程进行改善。