[发明专利]半导体驱动电路及半导体装置无效
| 申请号： | 201210561009.0 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103457587A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 玉木恒次;井上贵公;冈部浩之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 驱动 电路 装置 | ||
1.一种半导体驱动电路，对半导体开关元件进行驱动，其特征在于，具备：
内部电源电路，根据从外部电源供给的第一电压生成第二电压；以及
驱动部，根据从外部输入的输入信号，在所述半导体开关元件的栅极–发射极之间施加所述第一电压或所述第二电压，进行所述半导体开关元件的导通/截止，
所述内部电源电路根据所述输入信号进行工作。
2.根据权利要求1所述的半导体驱动电路，其中，
还具备：开关电路，根据所述输入信号而被导通/截止，
所述内部电源电路具备：齐纳二极管，与所述开关电路并联连接，生成所述第二电压。
3.根据权利要求1或2所述的半导体驱动电路，其中，
所述半导体开关元件具备：感测元件，以与所述半导体开关元件的主电流的任意比率流过电流，
所述半导体驱动电路还具备：过电流检测部，检测流过所述感测元件的感测电流，在所述感测电流超过了规定值的情况下，使所述半导体开关元件截止。
4.根据权利要求3所述的半导体驱动电路，其特征在于，所述过电流检测部的基准电位与所述第一电压的基准电位相等。
5.根据权利要求3所述的半导体驱动电路，其特征在于，所述过电流检测部包含差动放大器。
6.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体开关元件；以及
半导体驱动电路，对所述半导体开关元件进行驱动，
所述半导体驱动电路具备：
内部电源电路，根据从外部电源供给的第一电压生成第二电压；以及
驱动部，根据从外部输入的输入信号，在所述半导体开关元件的栅极–发射极之间施加所述第一电压或所述第二电压，进行所述半导体开关元件的导通/截止，
所述内部电源电路根据所述输入信号进行工作。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
所述半导体驱动电路还具备：开关电路，根据所述输入信号而被导通/截止，
所述内部电源电路具备：齐纳二极管，与所述开关电路并联连接，生成所述第二电压。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中，
所述半导体开关元件具备：感测元件，以与所述半导体开关元件的主电流的任意比率流过电流，
所述半导体驱动电路还具备：过电流检测部，检测流过所述感测元件的感测电流，在所述感测电流超过了规定值的情况下，使所述半导体开关元件截止。
9.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体开关元件包含SiC。
10.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体开关元件包含GaN。
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