[发明专利]一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

原子层沉积设备通入含锌源气体和含氧源气体，在所述原子层沉积设备反应腔中的硅衬底表面生长氧化锌薄膜；

所述原子层沉积设备通入含铝源气体和含氧源气体，在所述氧化锌薄膜表面生长氧化铝层。

2.如权利要求1所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述硅衬底表面预先采用RCA标准清洗法进行清洗，在所述硅衬底表面形成硅醇键。

3.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述含锌源气体为高挥发性、高纯度的有机锌化合物，包括二甲基锌或二乙基锌；所述含锌源气体的进气时间为0.1s-1s，反应时间为10s~60s。

4.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述含氧源气体包括水蒸汽、臭氧或氧气；所述含氧源气体的进气时间为0.1s-1s，反应时间为10s-60s。

5.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述含铝源气体包括三甲基铝或三乙基铝；所述含铝源气体的进气时间为0.05s-1s，反应时间为1s-30s。

6.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述氧化锌薄膜的厚度为1nm-10nm。

7.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述氧化锌薄膜表面的粗糙度为0.1nm-0.3nm。

8.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为0.5nm-1nm。

9.如权利要求1或2所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述原子层沉积设备采用的载气为氮气；所述氮气的流量为1sccm-1000sccm；所述原子层沉积设备反应腔中用于承载硅衬底的基盘的温度为50℃-300℃。

10.如权利要求9所述的制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用所述载气吹扫所述原子层沉积设备反应腔，载气吹扫时间为30s-90s。