[发明专利]超结的制作方法

权利要求书

1.一种超结的制作方法，其特征在于，包括：

提供一轻掺杂衬底；

以具有P型重掺杂区图形的第一掩膜版为掩膜，采用嬗变掺杂工艺在所述轻掺杂衬底内形成P型重掺杂区；

以具有N型重掺杂区图形的第二掩膜版为掩膜，采用嬗变掺杂工艺在所述轻掺杂衬底内形成N型重掺杂区；

退火处理。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述轻掺杂衬底的制作材料为硅、或碳化硅、或砷化镓、或锑化铟。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述采用嬗变掺杂工艺在所述轻掺杂衬底内形成P型重掺杂区的过程，包括：

提供光子源，形成高能光子束；

利用所述高能光子束对所述轻掺杂衬底进行粒子辐照，引发核反应，在所述轻掺杂衬底内形成P型重掺杂区。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述光子源为电子线性加速器光子源。

5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述高能光子束的能量为17.5MeV~22.5MeV。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述高能光子束中光子的运动方向相互平行。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜版的制作材料为高能光子吸收剂。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述高能光子吸收剂包括重金属元素的单质或化合物以及钛酸酯或硅烷类偶联剂中的至少一种。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用嬗变掺杂工艺在所述轻掺杂衬底内形成N型重掺杂区的过程，包括：

提供中子源，形成中子束；

利用所述中子束对所述轻掺杂衬底进行粒子辐照，引发核反应，在所述轻掺杂衬底内形成N型重掺杂区。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述中子源为放射性同位素中子源、或加速器中子源、或反应堆中子源。

11.根据权利要求9所述方法，其特征在于，所述中子束中的中子运动方向相互平行。

12.根据权利要求9所方法，其特征在于，所述第二掩膜版的制作材料为中子吸收剂。

13.根据权利要求12所述方法，其特征在于，所述中子吸收剂包括：氙135、或氦3同位素、或硼10、或钐149中的至少一种。

14.一种超结的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一类型重掺杂衬底；

以具有第二类型重掺杂区图形的第三掩膜版为掩膜，采用嬗变掺杂工艺在所述第一类型重掺杂衬底内形成第二类型重掺杂区，所述第二类型重掺杂区之外的区域为第一类型重掺杂区；

退火处理。

15.根据权利要求14所述方法，其特征在于，所述第一类型重掺杂衬底为P型重掺杂，所述第二类型重掺杂区为N型重掺杂。

16.根据权利要求15所述方法，其特征在于，所述第一类型重掺杂衬底的制作材料为硅、或碳化硅、或砷化镓、或锑化铟。

17.根据权利要求16所述方法，其特征在于，所述采用嬗变掺杂工艺在所述第一类型重掺杂衬底内形成第二类型重掺杂区的过程，包括：

提供中子源，形成中子束；

利用所述中子束对所述第一类型重掺杂衬底进行粒子辐照，引发核反应，在所述第一类型重掺杂衬底内形成第二类型重掺杂区。

18.根据权利要求17所述方法，其特征在于，所述第三掩膜版的制作材料为中子吸收剂。

19.根据权利要求14所述方法，其特征在于，所述第一类型重掺杂衬底为N型重掺杂，所述第二类型重掺杂区为P型重掺杂。

20.根据权利要求19所述方法，其特征在于，所述第一类型重掺杂衬底的制作材料为硅、或碳化硅、或金刚石、或锗、或砷化镓、或锑化铟。

21.根据权利要求20所述方法，其特征在于，所述采用嬗变掺杂工艺在所述第一类型重掺杂衬底内形成第二类型重掺杂区的过程，包括：

提供光子源，形成高能光子束；

利用所述高能光子束对所述第一类型重掺杂衬底进行粒子辐照，引发核反应，在所述第一类型重掺杂衬底内形成第二类型重掺杂区。