[发明专利]光电半导体装置

权利要求书

1.一种光电半导体装置，包括：

一电路板，具有一基板、一电路层及至少一孔洞，所述电路层邻接所述基板，所述孔洞位于所述基板；

至少一光电半导体元件，具有一顶电极及一底电极，所述顶电极位于所述光电半导体元件的顶部，所述底电极位于所述光电半导体元件的底部，所述底电极邻接且电气连接至所述电路板的电路层，其中所述光电半导体元件的位置相对于所述电路板的孔洞；及

至少一导线，电气连接所述光电半导体元件的顶电极至所述电路板的电路层。

2.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其中所述光电半导体元件至少包含发光二极管、光敏二极管、光电池、太阳能电池、电致发光二极管、激光二极管、功率放大器或集成电路元件。

3.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其中所述基板的材料为高导热的金属，所述电路板还具有一绝缘层，所述绝缘层位于所述基板上，所述电路层位于所述绝缘层上，所述孔洞贯穿所述基板，且部分所述绝缘层显露于所述孔洞中。

4.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其中所述光电半导体元件的底电极全部接合至所述电路板的电路层。

5.根据权利要求1所述的光电半导体装置，还包括一个次载体，所述光电半导体元件的底电极全部接合至所述次载体，所述孔洞贯穿所述基板及所述电路层，且所述次载体完全盖住所述孔洞。

6.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其中所述光电半导体元件还包括一电屏障层，位于所述光电半导体元件的底部，所述光电半导体元件的底电极围绕所述电屏障层，所述孔洞贯穿所述基板及所述电路层，且显露所述电屏障层。

7.根据权利要求1所述的光电半导体装置，其中所述光电半导体元件的底电极直接接合至所述电路板的电路层，所述孔洞贯穿所述基板及所述电路层，且显露部分所述底电极。

8.根据权利要求1所述的光电半导体装置，还包括一封胶材料，位于所述电路板的电路层以包覆所述光电半导体元件及所述至少一导线。

9.根据权利要求1所述的光电半导体装置，还包括：

一均热装置，附着至所述电路板的基板，且具有一中空容置空间及至少一开口，所述中空容置空间经由所述开口连通至所述电路板的孔洞；及

一冷却液，位于所述中空容置空间及所述电路板的孔洞内，从而吸收所述光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在所述均热装置内流动。

10.根据权利要求9所述的光电半导体装置，其中所述冷却液的电阻率大于1000Ωm。

11.根据权利要求9所述的光电半导体装置，其中所述均热装置为一热管，其包括一外壳体及一毛细结构，所述毛细结构位于所述外壳体的内侧壁以定义出所述中空容置空间，所述均热装置的开口贯穿所述外壳体及所述毛细结构，而连通至所述中空容置空间，使得所述蒸发气体可以在所述中空容置空间内流动，进而隔着所述外壳体与外界环境形成热交换，最终冷凝成液态冷却液。

12.一种光电半导体装置，包括：

一电路板，具有至少一孔洞，所述孔洞贯穿所述电路板；

至少一光电半导体元件，具有一顶电极及一底电极，所述顶电极位于所述光电半导体元件的顶部，所述底电极位于所述光电半导体元件的底部，其中所述光电半导体元件的底电极完全盖住所述孔洞且电气连接至所述电路板，且部分所述底电极显露于所述孔洞中；

至少一导线，电气连接所述光电半导体元件的顶电极至所述电路板；

一均热装置，附着至所述电路板，且具有一中空容置空间及至少一开口，所述中空容置空间经由所述开口连通至所述电路板的孔洞；及

一冷却液，位于所述中空容置空间及所述电路板的孔洞内，且用以接触所述底电极，从而吸收所述光电半导体元件的热以形成一蒸发气体而在所述均热装置内流动，其中所述冷却液为不导电材料，其电阻率大于1000Ωm。

13.根据权利要求12所述的光电半导体装置，其中所述光电半导体元件至少包含发光二极管、光敏二极管、光电池、太阳能电池、电致发光二极管、激光二极管、功率放大器或集成电路元件。

14.根据权利要求12所述的光电半导体装置，其中所述电路板还具有一基板及一电路层，所述电路层邻接于所述基板，所述孔洞贯穿所述基板及所述电路层，且所述光电半导体元件位于所述电路层上。