[发明专利]半导体清洁装置及半导体清洁方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体清洁装置及半导体清洁方法，特备涉及用于从半导体装置除去异物的半导体清洁装置及半导体清洁方法。

背景技术

在半导体装置的制造中，对作为半导体装置的集合体的半导体晶片进行多个工序。在半导体装置的制造工序中，在各种工序中有时带入异物，导致在半导体装置中产生故障。在该情况下，半导体装置的成品率变差。因此，期待从半导体装置除去异物。

例如在日本特开平11-87457号公报及日本特开2011-99156号公报中，提出了能够在半导体装置的制造工序中除去异物的装置。在上述日本特开平11-87457号公报中记载的装置中，具有静电吸附搬送臂和异物除去用的板状构件。静电吸附搬送臂的与晶片背面接触的部分的异物通过转印到板状构件而被除去。此外，在上述日本特开2011-99156号公报中记载的装置中，具有设置有静电卡盘的搬送臂。对静电卡盘的电极施加与附着在搬送臂的异物的电荷的极性相同极性的电压，对搬送臂喷吹氮气，由此除去异物。

可是，在上述日本特开平11-87457号公报中记载的装置中，由于静电吸附搬送臂的与晶片背面接触的部分的异物被转印到板状构件，所以不能除去附着在半导体晶片的侧面的异物。此外，在上述日本特开2011-99156号公报中记载的装置中，由于通过静电卡盘吸附半导体晶片的背面，所以难以除去附着在半导体晶片的侧面的异物。进而由于喷吹气体来除去异物，所以存在被喷吹的气体吹散的异物不被除去而再次附着的情况。

另一方面，在通过切割等使半导体晶片小片化而制作的各个半导体装置中，在制造工序后的电特性的评价等的试验工序中，异物的存在也是问题。例如，当异物附着在有用于电连接的焊盘的半导体装置的表面时，有时成为短路及放电的原因。而且，由于这些原因，在半导体装置中产生故障。

此外，在半导体装置的纵方向、也就是面外方向流过电流的纵型结构的半导体装置中，不仅是表面侧，背面侧也作为电极使用，因此当异物附着在背面时，半导体装置与外部电极的紧贴型变差。半导体装置与外部电极的紧贴型变差，会对接触电阻造成影响，进而影响电特性。此外，由于异物的存在，导致在异物与半导体装置的接触部及接触部附近产生裂隙等的缺陷，由此也存在半导体装置部分破损的情况。

再有，关于各个半导体装置的异物，已知有在从半导体晶片向半导体装置的小片化时从半导体装置的侧面产生许多半导体晶片材料的碎片、碎屑等，它们变为异物附着在半导体装置的侧面及侧面附近，在此状态下被带入以后的试验工序中。而且，这些异物有时移动到半导体装置的表面及背面。

发明内容

本发明正是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种半导体清洁装置及半导体清洁方法，能够除去附着在半导体装置的侧面的异物，并且能够防止被除去的异物再次附着。

本发明的半导体清洁装置，用于从半导体装置除去异物，其中，具备：外部电极，以与半导体装置的侧面相向的方式配置；基台，以能够设置半导体装置的方式设置，并且在设置有半导体装置的状态下在半导体装置的侧面和外部电极之间的位置，具有在半导体装置的侧面的下方设置的开口部；框部，具有绝缘性，并且以与外部电极相接并与半导体装置的侧面相向的方式配置在基台上；以及吸气单元，与基台的开口部连接，能够从开口部吸入异物。

根据本发明的半导体清洁装置，由于以与半导体装置的侧面相向的方式配置外部电极，所以外部电极能够将附着在半导体装置的侧面的异物从侧面除去。而且，由于吸气单元能够从设置在半导体装置的侧面的下方的开口部吸入异物，所以能够防止从半导体装置的侧面除去的异物再次附着。

本发明的上述以及其它的目的、特征、方面以及优点，根据与附图关联地理解的与本发明相关的接下来的详细说明，就能够更清楚了。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的半导体清洁装置的概略平面图。

图2是扩大表示图1的P1部的概略平面图。

图3是沿着图2的III-III线的概略剖面图。

图4是沿着图3的IV-IV线的概略剖面图。

图5是本发明的实施方式1的半导体清洁装置的变形例1的概略剖面图。

图6是本发明的实施方式1的半导体清洁装置的变形例2的概略剖面图。

图7是本发明的实施方式1的半导体清洁装置的变形例3的概略平面图，是与图2的P2部对应的部分的图。

图8是本发明的实施方式1的半导体清洁装置的变形例4的概略平面图，是与图2的P3部对应的部分的图。

图9是沿着图8的IX-IX线的概略剖面图。