[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，用于对基板上形成的氮化膜进行蚀刻，其中，

将基板放置在工艺腔室内，在所述工艺腔室外部由第1源气体产生等离子体，将所述等离子体供给到所述工艺腔室，

所述第1源气体包含二氟甲烷CH₂F₂、氮气N₂以及氧气O₂。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述二氟甲烷CH₂F₂的供给量为10至500SCCM，所述氮气的供给量为100至2500SCCM，所述氧气的供给量为100至2500SCCM。

3.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于：

在蚀刻工艺进行时，放置了所述基板的基座的温度为0至70℃，所述工艺腔室内的压力为300至1000mTorr。

4.根据权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于：

在蚀刻工艺进行时，为了产生所述等离子体而供给的电力为1000至3000W。

5.根据权利要求1到4中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于：

对向所述工艺腔室供给所述等离子体的通路供给第2源气体，

所述第2源气体包含三氟化氮NF₃。

6.根据权利要求5所述的半导体制造方法，其特征在于：

在蚀刻工艺进行时，所述三氟化氮的供给量大于0且为1000SCCM以下。

7.根据权利要求1到4中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述氮化膜是氮化硅膜。

8.一种半导体制造方法，其提高了基板上氮化膜相对于其他种类膜的蚀刻选择比，其中，

由第1源气体产生等离子体，利用产生的等离子体对基板执行蚀刻工艺，

所述第1源气体包含二氟甲烷CH₂F₂、氮气N₂以及氧气O₂。

9.根据权利要求8所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述其他种类的膜是氧化硅膜或多晶硅膜，

在蚀刻工艺进行时，所述二氟甲烷在所述氧化硅膜或所述多晶硅膜上形成聚合物膜，通过用所述氮气和所述氧气去除所述聚合物膜，来增加所述氮化硅膜相对于所述氧化硅膜或所述多晶硅膜的蚀刻选择比。

10.根据权利要求8所述的半导体制造方法，其特征在于：

所述二氟甲烷CH₂F₂的供给量为10至500SCCM，所述氮气的供给量为100至2500SCCM，所述氧气的供给量为100至2500SCCM。

11.根据权利要求10所述的半导体制造方法，其特征在于：

在蚀刻工艺进行时，放置了所述基板的基座的温度为0至70℃，所述工艺腔室内的压力为300至1000mTorr。

12.根据权利要求11所述的半导体制造方法，其特征在于：

在蚀刻工艺进行时，为了产生所述等离子体而供给的电力为1000至3000W。

13.根据权利要求8所述的半导体制造方法，其特征在于：

通过降低所述基座的温度来增加所述氮化硅膜相对于所述多晶硅膜的蚀刻选择比。

14.根据权利要求8所述的半导体制造方法，其特征在于：

通过增加所述二氟甲烷和所述氧气的供给量来增加所述氮化硅膜相对于所述氧化硅膜的蚀刻选择比。

15.根据权利要求8至14中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于：

在所述基板所在的工艺腔室的外部产生所述等离子体之后，将所述等离子体供给到所述工艺腔室。

16.根据权利要求15所述的半导体制造方法，其特征在于：

对向所述工艺腔室供给所述等离子体的通路供给第2源气体，所述第2源气体包含三氟化氮NF₃。