[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

液晶显示技术迅速发展，并成为目前工业界的新星和经济发展的亮点。在液晶显示蓬勃发展的同时，宽视角、高画质和较快的响应速度等成为显示装置件的迫切要求。目前，超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch，ADS）型、及平面内开关（In-Plane Switching，IPS）型，或垂直对准平面内开关（Vertical Aligment-In-Plane Switching，VA-IPS）型液晶显示等技术，具有宽视角、高画质与较快的响应速度等特性，非常适合应用于各种动态影像用液晶显示领域。

ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

现有技术的ADS型显示面板，如图1所示，包括：彩膜基板10和阵列基板20，以及填充于彩膜基板10和阵列基板20之间的液晶分子30。阵列基板20上包括：像素电极200，位于像素电极200上方与像素电极200通过绝缘层201相绝缘的公共电极202，以及位于公共电极202上方的取向膜203，位于彩膜基板10上与液晶分子相接触的一侧设置有取向膜100。

需要说明的是，公共电极和像素电极的设置位置可以互换，公共电极可以在像素电极的上方，也可以为像素电极在公共电极的上方，无论哪种电极位于上方，位于上方的电极一定为狭缝电极，位于下方的电极可以为板状电极或狭缝电极。在具体实施过程中，阵列基板公共电极上方还设置有取向膜。

现有的ADS型阵列基板结构导致阵列基板上存在直流残留的现象，直流残留会导致显示图像存在残像的问题。

具体原因如下，由于液晶分子中不可避免地存在一些可以移动的带电残留离子。在像素电极和公共电极施加电压用于显示图像时，可移动的正负残留离子向与自己极性相反的公共电极或像素电极移动，最后形成在取向膜表面。由于公共电极与取向膜相接触，与公共电极极性相反的残留离子贴附在取向膜表面，如图1中所示，带正电的残留离子40贴附在取向膜表面，但是由于像素电极位于公共电极下方，与像素电极极性相反的可移动残留离子无法移动到像素电极，也就无法移动到取向膜表面，最后残留在液晶分子表面，该现象称为直流残留。在完全不施加电压的情况下，液晶的排列会因其表面的带电残留离子的影响偏离了原始排列状态，直流残留会引图像显示存在残像的问题，降低图像的品质，不利于实现高画质图像显示。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用以分散液晶分子表面的直流残留，从而消除因直流残留引起的图像残像的现象。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：基板、基板上的第一电极、第一电极上方与第一电极相绝缘的第二电极，第二电极上的取向膜，还包括：与至少一个第一电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极，所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括所述阵列基板。

本发明实施例还提供一种阵列基板制作方法，包括：

在基板上形成包括第一电极、第二电极、分流电极的图形；以及

形成包括第一绝缘层和取向膜的图形；

所述第一绝缘层位于所述第一电极与第二电极和分流电极之间，所述取向膜位于所述第二电极和分流电极之上，所述第一电极与所述分流电极电性相连。