[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201210469712.9 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN102998856A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 操彬彬;白明基;黄寅虎;徐向阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1337;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:基板、基板上的第一电极、第一电极上方与第一电极相绝缘的第二电极,第二电极上的取向膜,其特征在于,还包括:与至少一个第一电极电性相连的至少一个用于分散液晶分子表面残留电荷的分流电极,所述分流电极位于所述取向膜不与液晶分子相接触的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述分流电极与所述第一电极同层设置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极与所述分流电极通过过孔电性连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述分流电极位于相邻两个子像素单元之间的非显示区域。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述分流电极位于相邻两个子像素单元之间与数据信号线和/或栅极扫描线相对应的区域。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,与任一第一电极电性相连的分流电极为1-5个。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述分流电极为矩形状,该分流电极的宽度为3-20μm,长度为3-30μm。
8.根据权利要求1-7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极为狭缝电极或板状电极,所述第二电极为狭缝电极。
9.根据权利要求1-7任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;或者
所述第一电极为公共电极,所述第二电极为像素电极。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一所述的阵列基板。
11.一阵阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成包括第一电极、第二电极、分流电极的图形;以及
形成包括第一绝缘层和取向膜的图形;
所述第一绝缘层位于所述第一电极与第二电极和分流电极之间,所述取向膜位于所述第二电极和分流电极之上,所述第一电极与所述分流电极电性相连。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一电极与所述分流电极通过过孔电性相连;
在基板上形成包括第一电极、第二电极、分流电极的图形;以及形成第一绝缘层和取向膜的图形,具体为:
通过构图工艺在基板上形成包括第一电极的图形;
通过构图工艺在形成有所述第一电极的基板上形成至少覆盖所述第一电极的第一绝缘层的图形;
通过构图工艺在所述第一绝缘层上与所述第一电极相对应的区域形成包括过孔的图形;
通过一次构图工艺在形成有所述第一绝缘层和过孔的基板上形成第二电极和分流电极的图形,分流电极位于所述过孔之上与过孔下方的第一电极电性相连;
通过包括涂覆、固化,摩擦的工艺或者通过包括涂覆和光取向的工艺在形成有所述第二电极和分流电极的基板上形成包括取向膜的图形。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一电极为像素电极,所述第二电极为公共电极;
通过构图工艺在基板上形成第一电极的图形,具体为:
通过构图工艺在基板上任一子像素单元的像素区域和与该子像素单元相邻的至少一个子像素单元之间的非显示区域形成第一电极的图形;
通过构图工艺在第一绝缘层上形成过孔,具体为:
通过构图工艺在基板上与位于非显示区域的像素电极部分对应的区域形成过孔;
通过构图工艺在基板上形成分流电极的图形,具体为:
通过构图工艺在基板上的过孔之上形成分流电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述通过构图工艺在基板上的过孔之上形成分流电极,具体为:通过构图工艺在基板上的过孔之上,与相邻两个子像素单元之间的数据信号线和/或栅极扫描线相对应的区域形成分流电极。
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