[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，尤其涉及一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

发光二极管（发光芯片）作为一种新兴的光源，目前已广泛应用于多种照明场合之中，并大有取代传统光源的趋势。

而目前使用的白光发光二极管，通常采用如下方法制成：提供一基板，在基板上形成电极结构，然后在电极结构上结合一蓝光发光芯片以及一红光发光芯片，再在该蓝光发光芯片上覆盖一荧光层，该蓝光发光芯片激发荧光物质产生的光与红光发光芯片发出的光混合形成白光。

然而，采用这种方法形成的白光发光二极管中，荧光层通常是均匀混合的，其密度处处相等，由于蓝光发光芯片的中部发出的光线的强度大于其周缘侧向发出的光线，因此，蓝光发光芯片中部光线激发该荧光层所产生的光与蓝光发光芯片周缘侧向发出的光激发荧光物质产生的光均匀度差异较大。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种出光均匀的发光二极管及其制造方法。

一种发光二极管，包括基板及设于基板上的发光二极管芯片，所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有台阶部，所述基板具有对应所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述台阶部下方，所述发光二极管芯片包括第一发光芯片及若干第二发光芯片，所述第一发光芯片发出光的波长小于所述第二发光芯片发出光的波长，所述第一发光芯片设置于凹槽的底座上，所述第二发光芯片设置于所述台阶部上并分布于所述第一发光芯片外围，所述凹槽内填充有荧光物质，形成覆盖所述第一发光芯片及第二发光芯片的荧光层，覆盖至第一发光芯片的荧光层内的荧光物质多于覆盖至第二发光芯片的荧光层内的荧光物质。

一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：

提供基板，并在所述基板上凹陷形成凹槽，所述凹槽具有台阶部，所述基板具有对应所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述台阶部下方；

提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括第一发光芯片及第二发光芯片，所述第一发光芯片发出光的波长小于所述第二发光芯片发出光的波长，其中，所述第一发光芯片设置于凹槽的底座上，所述第二发光芯片设置于所述台阶部上；

在所述凹槽内填充荧光物质，形成覆盖所述第一发光芯片及第二发光芯片的荧光层，并使覆盖至第一发光芯片的荧光层内的荧光物质多于覆盖至第二发光芯片的荧光层内的荧光物质，进而形成发光二极管。

本发明中的发光二极管中，通过在激发能力较强的发光芯片周围形成较多的荧光物质，在激发能力较弱的发光芯片周围形成较少的荧光物质，使得发光芯片激发相应密度的荧光物质后产生的光线混合更加均匀。

附图说明

图1是本发明第一实施例的发光二极管的制造方法步骤流程图。

图2至图4为本发明第一实施例的发光二极管的制造方法步骤示意图。

图5为本发明第二实施例的发光二极管制造方法中沉降荧光层中的荧光物质的步骤示意图。

图6为本发明第二实施例的发光二极管制造方法中形成封装层的步骤示意图。

主要元件符号说明