[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括基板及设于基板上的发光二极管芯片，其特征在于：所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有台阶部，所述基板具有对应所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述台阶部下方，所述发光二极管芯片包括第一发光芯片及若干第二发光芯片，所述第一发光芯片发出光的波长小于所述第二发光芯片发出光的波长，所述第一发光芯片设置于凹槽的底座上，所述第二发光芯片设置于所述台阶部上并分布于所述第一发光芯片外围，所述凹槽内填充有荧光物质，形成覆盖所述第一发光芯片及第二发光芯片的荧光层，覆盖至第一发光芯片的荧光层内的荧光物质多于覆盖至第二发光芯片的荧光层内的荧光物质。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二发光芯片的数目为2个，其分别设于所述第一发光芯片相对两侧的台阶部。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一发光芯片与第二发光芯片位于同一平面内。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述凹槽包括第一凹槽及顶端与第一凹槽底端连通且同轴设置的第二凹槽，所述第一凹槽的底端孔径大于所述第二凹槽的顶端孔径。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述第一凹槽及第二凹槽的孔径均沿基板厚度方向自上向下逐渐减小。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述台阶部及底座上且覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的荧光层的厚度处处相等。

7.一种发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：

提供基板，并在所述基板上凹陷形成凹槽，所述凹槽具有台阶部，所述基板具有对应所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述台阶部下方；

提供发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括第一发光芯片及第二发光芯片，所述第一发光芯片发出光的波长小于所述第二发光芯片发出光的波长，其中，所述第一发光芯片设置于凹槽的底座上，所述第二发光芯片设置于所述台阶部上；

在所述凹槽内填充荧光物质，形成覆盖所述第一发光芯片及第二发光芯片的荧光层，并使覆盖至第一发光芯片的荧光层内的荧光物质多于覆盖至第二发光芯片的荧光层内的荧光物质，进而形成发光二极管。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：还包括将位于凹槽中的荧光层中的荧光物质进行沉降，以使覆盖至第一发光芯片的荧光物质的密度大于覆盖至第二发光芯片的荧光物质的密度。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：进一步包括提供一沉降式离心机对所述发光二极管进行离心处理，使荧光层内的荧光物质沉降至所述台阶部以及底座上；控制该离心机工作合适的时间，使所述透明胶体与荧光物质分离开来，从而得到沉降至所述台阶部及底座上且覆盖第一发光芯片及第二发光芯片的荧光层以及覆盖于该荧光层之上的保护层。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述沉降至台阶部以及底座上的荧光层的厚度处处相等。