[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，液晶显示器的中的阵列基板的制造通常采用4次光刻（Mask）技术或5次光刻（Mask）技术，其中，4Mask技术是以5Mask技术为基准，利用灰色调光刻（Gray Tone Mask）工艺，将有源层光刻（Active Mask）与源漏极（S/D Mask）合并成一个Mask，通过调整刻蚀工艺，完成原来Active Mask和S/D Mask功能。所述5Mask技术包括：栅极光刻（Gate Mask）、有源层光刻（Active Mask）、源漏极光刻（S/D Mask）、过孔光刻（Via Hole Mask）和像素电极层光刻（Pixel Mask），并且在每一次光刻工艺步骤又分别包括一次或多次薄膜沉积工艺和刻蚀工艺，形成5次薄膜沉积→光刻→刻蚀的循环过程。

利用上述4Mask技术或5Mask技术在理想条件下均能形成如图1（a）或图1（b）所示的阵列基板。其中，图1（b）是阵列基板的截面图，图1（a）是阵列基板的俯视图，其中，1为基板、2为栅极及栅线、3为栅极绝缘层、4为构成有源层的非晶硅层（a-Si）、5为构成有源层的磷掺杂非晶硅层（n+a-Si）、6为源漏极及数据线、7为像素电极层、8为源漏极及数据线绝缘层。但在不理想的条件下，制作出的阵列基板中的数据线和/或栅线将会出现断裂，这里以5次光刻技术中数据线出现断裂（Data Open）的原因为例进行说明（5Mask技术下栅线出现断裂的原因与5Mask技术下数据线断裂的原因类似，4Mask技术下中数据线和/或栅线断裂的原因与5次光刻技术下数据线断裂的原因类似）：

假设在经过Gate Mask、Active Mask之后形成的阵列基板的结构如图2所示，则接下来进行S/D Mask，形成阵列基板中的数据线及阵列基板上的TFT中的源漏极的过程具体如下：

第一步：在图2所述的阵列基板上沉积一层金属膜，得到如图3所示的阵列基板。

第二步：在图3所示的阵列基板上涂覆一层光刻（Photo Resist，PR）胶，对所述PR胶进行曝光显影，得到图4所示的阵列基板，图4中标号9为曝光显影后的PR胶层。

第三步：采用湿刻（Wet Etch）技术，利用刻蚀液对对图4所示的阵列基板中的金属膜进行刻蚀，得到图5所示的阵列基板。

第四步：采用干刻（Dry Etch）技术，对图5中所述的阵列基板中的掺磷非晶硅（n+a-Si）层及非晶硅层（a-Si）进行刻蚀，得到图6所示的阵列基板。

第五步：剥离图6所示的阵列基板上的PR胶，即得到图7所示的阵列基板，在图7所示的阵列基板中即形成了源漏极及数据线。

在上述第二步中，若涂覆的PR胶与金属薄膜粘附性很好，它们之间没有空隙，则形成的数据线不会出现断裂。若在第二步中，涂覆PR胶之前的TFT阵列基板清洗不够干净或涂覆的PR胶的本身粘附性不好，则会出现涂覆后的PR胶与金属膜粘附性不好，PR胶层与金属膜层之间出现缝隙，那么，在第三步中，刻蚀液不仅会刻蚀未被PR胶覆盖的金属膜，也会从PR胶与金属膜之间的缝隙渗入刻蚀掉部分被PR胶覆盖下的金属膜，而这时被PR胶覆盖的金属膜正是用于形成源漏极及数据线的金属膜，因此，将会导致在第五步剥离PR胶后，出现形成的数据线断裂的情况，如图8中的椭圆形虚线内所示。

同样的，在进行栅极光刻时，由于栅极及栅线也是用金属膜来制成的，形成阵列基板中的栅线及TFT中的栅极的过程与上述形成阵列基板中的数据线及TFT中的源漏极的过程类似，在涂覆的PR胶与金属膜之间粘附性不好，PR胶与金属膜之间出现缝隙时，刻蚀液也将会刻蚀用于形成栅极及栅线的金属膜，可能导致栅线出现断裂。

上述在阵列基板制作过程中出现的栅线和/或数据线的断裂均会造成制成的阵列基板的成品率降低。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板制的作方法、阵列基板及显示装置，用以解决由于在制作阵列基板时，PR胶与金属膜的粘附性不好，使得栅线及公共电极线和/或数据线断裂而导致的阵列基板的成品率较低的问题。

一种阵列基板的制作方法，所述方法包括在基板上形成栅极、栅线、公共电极线、栅极绝缘层的图形；以及形成有源层，源极、漏极、数据线的图形；还包括：

在基板上形成用于保护所述栅线及公共电极线的第一保护层的图形；

和/或

在基板上形成用于保护所述数据线的第二保护层的图形；