[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述方法包括在基板上形成栅极、栅线、公共电极线、栅极绝缘层的图形；以及形成有源层，源极、漏极、数据线的图形；其特征在于，还包括：

在基板上形成用于保护所述栅线及公共电极线的第一保护层的图形；

和/或

在基板上形成用于保护所述数据线的第二保护层的图形；

其中，所述栅极、栅线、公共电极线和第一保护层的图形通过一次构图工艺形成；

所述源极、漏极、数据线和第二保护层的图形通过一次构图工艺形成。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有源层，源极、漏极、数据线的图形的步骤之后，所述方法还包括：

在形成有源极、漏极、数据线的图形的基板上，通过一次构图工艺形成板状结构的像素电极的图形，以及用于保护所述像素电极的第三保护层的图形；

和/或

在形成有用于隔离像素电极和公共电极的钝化层的图形的基板上，通过一次构图工艺形成狭缝结构的公共电极的图形，以及用于保护公共电极的第四保护层的图形。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有源层，源极、漏极、数据线的图形步骤之后，所述方法还包括：

在形成有源极、漏极、数据线的图形的基板上，通过一次构图工艺形成板状结构的公共电极，以及用于保护所述公共电极的第五保护层；和/或

在形成有用于隔离像素电极和公共电极的钝化层的图形的基板上，通过一次构图工艺形成狭缝结构的像素电极，以及用于保护所述像素电极的第六保护层的图形。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述栅线断开或数据线断开时，所述方法还包括：形成用于连接断开的栅线或数据线的桥接线的图形和用于保护所述桥接线的第七保护层的图形；其中，所述桥接线和第七保护层通过一次构图工艺形成。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述桥接线的材料为用于制作像素电极的材料、用于制作栅线的金属材料或用于制作数据线的金属材料。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一保护层、第二保护层和/或第七保护层为非金属层。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述非金属层为非晶硅a-Si层、氮化硅SiN_X层或二氧化硅SiO₂层。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为所述第二保护层的厚度为和/或，所述第七保护层的厚度为

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

在基板上形成的栅线及公共电极线，在所述栅线及公共电极线上形成的第一保护层；和/或

在基板上形成的TFT的有源层上形成的数据线，以及在所述数据线上形成的第二保护层。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

在已形成源极、漏极、数据线的基板上形成的板状结构的像素电极，以及在所述像素电极上形成的第三保护层；

和/或

在已形成有用于隔离像素电极和公共电极的钝化层的基板上，形成的狭缝结构的公共电极，以及在所述公共电极上形成的第四保护层。

11.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

在已形成源极、漏极、数据线的基板上形成的板状结构的公共电极，以及在所述公共电极上形成的第五保护层；

和/或

在已形成有用于隔离像素电极和公共电极的钝化层的基板上，形成的狭缝结构的像素电极，以及在所述像素电极上形成的第六保护层。

12.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：在已形成用于连接断开的栅线或数据线的桥接线，以及在所述桥接线上形成的第七保护层。

13.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求9-12任一所述的阵列基板。